Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Анотація
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов.Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрии и дефор¬мационные эффекты в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. — 584 с.
2. Ридли Б. Квантовые процессы в полупрово¬дниках. — М.: Мир, 1986. — 304 c.
3. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. — М.: Атомиздат, 1975. — 472 с.
4. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Влияние механической вибрации на сопротивление полупроводника // Вестник ТашИИТ. Таш¬кент. — 2007. — № 2. — С. 48—56.
5. Шамирзаев C. Х., Гулямов Г., Дадамирза¬ев М. Г., Шарибаев Н. Ю. Гулямов А. Г. Фа¬зовые портреты деформационных эффектов на тензо-чувствительных плёнках Bi2Te3 и Sb2Te3 // Физическая инженерия поверхности. — Украина. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68—71.
6. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Фазовые портреты деформационных эффектов в по¬лупроводниках в импульсном режиме // Фи¬зическая инженерия поверхности. — Укра¬ина. — 2012. —Т. 10, № 4. — С. 308—310.
7. Аhmetoglu М., Shamirzaev S. H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А. G., Aprailov N., Kocak F. Change in the resistance of the semiconductor in the variable deforma-tion field // Rom. Journ. Phys. — Bucharest. — 2007. — Vol. 52. No 3—4. — P. 319—327.
2. Ридли Б. Квантовые процессы в полупрово¬дниках. — М.: Мир, 1986. — 304 c.
3. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. — М.: Атомиздат, 1975. — 472 с.
4. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Влияние механической вибрации на сопротивление полупроводника // Вестник ТашИИТ. Таш¬кент. — 2007. — № 2. — С. 48—56.
5. Шамирзаев C. Х., Гулямов Г., Дадамирза¬ев М. Г., Шарибаев Н. Ю. Гулямов А. Г. Фа¬зовые портреты деформационных эффектов на тензо-чувствительных плёнках Bi2Te3 и Sb2Te3 // Физическая инженерия поверхности. — Украина. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68—71.
6. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Фазовые портреты деформационных эффектов в по¬лупроводниках в импульсном режиме // Фи¬зическая инженерия поверхности. — Укра¬ина. — 2012. —Т. 10, № 4. — С. 308—310.
7. Аhmetoglu М., Shamirzaev S. H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А. G., Aprailov N., Kocak F. Change in the resistance of the semiconductor in the variable deforma-tion field // Rom. Journ. Phys. — Bucharest. — 2007. — Vol. 52. No 3—4. — P. 319—327.
Опубліковано
2015-04-27
Як цитувати
Гулямов, Г., & Дадамирзаев, М. Г. (2015). Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(4), 510-514. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/1480
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
