Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field
Keywords:
cyclotron effective mass, Landau levels, the numerical simulation and experiment
Abstract
Investigated the effect of changes in the cyclotron effective mass in the temperature dependence of the density of states in a strong quantizing magnetic field. Given the dependence of the cyclotron ef fe ctive mass on the energy diagrams of the temperature dependence of the density of states in a strong quan tizing magnetic field. With the proposed model to study the effect of the cyclotron effe c tive mass in the temperature dependence of the density of states in a strong quantizing magnetic field. Diagrams of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field in the InAs.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p–Bi2–xSbxTe3–ySey // ФИП. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195—199.
Gulyamov G., Sharibaev N. Yu., Erkaboev U. I. The temperature dependence of the density of states in semiconductors. // World Journal of Condensed Matter Physics. — 2013. — Vol. 3, No. 4. — P. 216—220.
Gulyamov G., Erkaboev U. I., Sharibaev N. Y. The temperature dependence of the band gap Si. // Physical surface engineering. — 2013. — Vol 11, No. 3. — P. 289—292.
Lin C. Y., Chang S. T., Liu C. W. Hole effective mass in strained Si1–xCx alloys // Journal of applied physics. — 2004. — Vol. 96, No. 9 — P. 5037—5041.
Chuiko G. P., Stepanchikov D. M. Geometrical way of determination of effective masses and densities of states within generalized Kildal’s model // Physics and chemistry of solid state. — 2008. — Vol. 9, No. 2. — P. 312—318.
Зверев Л. П., .Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э. О возможности использования туннельной спектроскопии для определения энергетической зависимости эффективной массы в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. — 1980. — Т. 31, Вып. 3. — С. 169—172.
Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. — М.: Физматлит, 2007. — 297 с.
Лифшиц И. М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем. М.: Наука, 1982. — 162 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // ФТП. — 2011. — Т. 45, Вып 2. — С. 178—182.
Гулямов Г., Каримов И. Н., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик в структурах Al-SiO2-Si и Al-SiO2 -n-Si при низкой температуре // Uzbek Journal of Physics. — 2010. — Vol. 12, No. 3. — P. 143—146.
Цидилковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: «Наука», 1972. — 447 с.
Gulyamov G., Sharibaev N. Yu., Erkaboev U. I. The temperature dependence of the density of states in semiconductors. // World Journal of Condensed Matter Physics. — 2013. — Vol. 3, No. 4. — P. 216—220.
Gulyamov G., Erkaboev U. I., Sharibaev N. Y. The temperature dependence of the band gap Si. // Physical surface engineering. — 2013. — Vol 11, No. 3. — P. 289—292.
Lin C. Y., Chang S. T., Liu C. W. Hole effective mass in strained Si1–xCx alloys // Journal of applied physics. — 2004. — Vol. 96, No. 9 — P. 5037—5041.
Chuiko G. P., Stepanchikov D. M. Geometrical way of determination of effective masses and densities of states within generalized Kildal’s model // Physics and chemistry of solid state. — 2008. — Vol. 9, No. 2. — P. 312—318.
Зверев Л. П., .Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э. О возможности использования туннельной спектроскопии для определения энергетической зависимости эффективной массы в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. — 1980. — Т. 31, Вып. 3. — С. 169—172.
Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. — М.: Физматлит, 2007. — 297 с.
Лифшиц И. М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем. М.: Наука, 1982. — 162 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // ФТП. — 2011. — Т. 45, Вып 2. — С. 178—182.
Гулямов Г., Каримов И. Н., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик в структурах Al-SiO2-Si и Al-SiO2 -n-Si
Цидилковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: «Наука», 1972. — 447 с.
Published
2017-03-24
How to Cite
Гулямов, Г., Шарибаев, Н. Ю., & Эркабоев, У. И. (2017). Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(1), 9-13. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8159
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
