Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Abstract
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов.Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрии и дефор¬мационные эффекты в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. — 584 с.
2. Ридли Б. Квантовые процессы в полупрово¬дниках. — М.: Мир, 1986. — 304 c.
3. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. — М.: Атомиздат, 1975. — 472 с.
4. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Влияние механической вибрации на сопротивление полупроводника // Вестник ТашИИТ. Таш¬кент. — 2007. — № 2. — С. 48—56.
5. Шамирзаев C. Х., Гулямов Г., Дадамирза¬ев М. Г., Шарибаев Н. Ю. Гулямов А. Г. Фа¬зовые портреты деформационных эффектов на тензо-чувствительных плёнках Bi2Te3 и Sb2Te3 // Физическая инженерия поверхности. — Украина. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68—71.
6. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Фазовые портреты деформационных эффектов в по¬лупроводниках в импульсном режиме // Фи¬зическая инженерия поверхности. — Укра¬ина. — 2012. —Т. 10, № 4. — С. 308—310.
7. Аhmetoglu М., Shamirzaev S. H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А. G., Aprailov N., Kocak F. Change in the resistance of the semiconductor in the variable deforma-tion field // Rom. Journ. Phys. — Bucharest. — 2007. — Vol. 52. No 3—4. — P. 319—327.
2. Ридли Б. Квантовые процессы в полупрово¬дниках. — М.: Мир, 1986. — 304 c.
3. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. — М.: Атомиздат, 1975. — 472 с.
4. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Влияние механической вибрации на сопротивление полупроводника // Вестник ТашИИТ. Таш¬кент. — 2007. — № 2. — С. 48—56.
5. Шамирзаев C. Х., Гулямов Г., Дадамирза¬ев М. Г., Шарибаев Н. Ю. Гулямов А. Г. Фа¬зовые портреты деформационных эффектов на тензо-чувствительных плёнках Bi2Te3 и Sb2Te3 // Физическая инженерия поверхности. — Украина. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 68—71.
6. Дадамирзаев М. Г., Гулямов А. Г. Фазовые портреты деформационных эффектов в по¬лупроводниках в импульсном режиме // Фи¬зическая инженерия поверхности. — Укра¬ина. — 2012. —Т. 10, № 4. — С. 308—310.
7. Аhmetoglu М., Shamirzaev S. H., Gulyamov G., Dadamirzayev M., Gulyamov А. G., Aprailov N., Kocak F. Change in the resistance of the semiconductor in the variable deforma-tion field // Rom. Journ. Phys. — Bucharest. — 2007. — Vol. 52. No 3—4. — P. 319—327.
Published
2015-04-27
How to Cite
Гулямов, Г., & Дадамирзаев, М. Г. (2015). Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(4), 510-514. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/1480
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
