Saparov, Fayzulla A., Institute of Semiconductor Physics and Microelectronics at the National University of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan, Узбекистан
-
Східно-європейський фізичний журнал № 4 (2023): Східно-європейський фізичний журнал - Статті
Про властивості перехідного шару Si-SiO2 у багатошарових кремнієвих структурах
Анотація pdf (English) -
Східно-європейський фізичний журнал № 1 (2024): Східно-європейський фізичний журнал - Статті
Вплив умов легування на властивості кластерів атомів нікелю
Анотація pdf (English)