Моделювання залежності ширини зони від температури та магнітного поля у напівпровідниках з вузькозонними квантовими ямами

  • У.І. Еркабоєв Наманганський державний технічний університет, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-6841-8214
  • У.Ш. Турдієв Ташкентський хіміко-технологічний інститут, філія Янгієр, Сирдар'я, Узбекистан https://orcid.org/0009-0009-7808-4113
  • М.Г. Дадамірзаєв Наманганський державний технічний університет, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-0756-8275
  • Р.Г. Рахімов Наманганський державний технічний університет, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-0850-1398
  • Ш.Х. Уткіров Ташкентський хіміко-технологічний інститут, філія Янгієр, Сирдар'я, Узбекистан
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-1-34
Ключові слова: напівпровідник, провідність, квантова яма, магнітоопір, магнітне поле

Анотація

Фундаментальним фізичним параметром як об'ємних, так і низьковимірних напівпровідникових структур є ширина забороненої зони E3dg, E2dg, енергетична ширина якої дозволяє заздалегідь передбачити робочі параметри напівпровідникових пристроїв. Тому визначення E3dg, та E2dg у випадках, коли ширина забороненої зони щойно синтезованих матеріалів невідома вважається одним з першочергових завдань у технології напівпровідникових гетероструктур. Крім того, ще однією важливою
особливістю Eg є його сильна чутливість до зовнішніх впливів. Дійсно, зміни Eg, що виникають внаслідок таких ефектів, можуть фундаментально змінити фізичні та хімічні властивості напівпровідникових приладів.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

I.V. Bondar, Phys. Tech. Semiconductors, 49(9), 1180-1183 (2015). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42140

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzayev, K.M. Uktamova, and B.Z. Mislidinov, AIP Conf. Proc. 2700(1), 050007 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0126516

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, and A.G. Gulyamov, Adv. Condens. Matter Phys. 2017(1), 6747853 (2017). https://doi.org/10.1155/2017/6747853

V.P. Kunets, N.R. Kulish, V.P. Kunets, M.P. Lisitsa, and N.I. Malysh, Semiconductors, 36(2), 219-223 (2002). https://doi.org/10.1134/1.1453442

Y.P. Varshni, Physica, 34(1), 149-154 (1967). https://doi.org/10.1016/0031-8914(67)90062-6

A.S. Puzanov, S.V. Obolenskii, and V.A. Kozlov, Semiconductors, 49(1), 69-74 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615010224

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzayev, M.O. Qosimova, and S.R. Boydedayev, AIP Conf. Proc. 2700(1), 050013 (2023).https://doi.org/10.1063/5.0124926

Y. Tokura, K. Yasuda, and A. Tsukazaki, Nat. Rev. Phys. 1, 126–143 (2019). https://doi.org/10.1038/s42254-018-0011-5

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and S.R. Boidedaev, Semiconductors, 34, 555-557 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1188027

M. Ahmetoglu (Afrailov), G. Kaynak, S. Shamirzaev, G. Gulyamov, A. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, S.R. Boydedayev, and N. Aprailov, Int. J. Mod. Phys. B, 23(15), 3279-3285 (2009). https://doi.org/10.1142/S0217979209053084

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, N. Sayidov, U. Negmatov, and A. Mashrapov, AIP Conf. Proc. 2789(1), 040056 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145556

R. Macaluso, H.D. Sun, M.D. Dawson, F. Robert, A.C. Bryce, and J.H. Marsh, Appl. Phys. Lett., 82, 4259–4261 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1583865

M.S. Aghaei, I. Torres, and I. Calizo, Comput. Mater. Sci. 138, 204-212. (2017). https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2017.06.041

S. Gies, C. Kruska, C. Berger, P. Hens, C. Fuchs, A.R. Perez, N.W. Rosemann, et al., Appl. Phys. Lett. 107, 182104-182108 (2015). https://doi.org/10.1063/1.4935212

S.H. Shamirzaev, G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and A.G. Gulyamov, Semiconductors, 43, 47-51 (2009). https://doi.org/10.1134/S1063782609010102

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, E3S Web Conf., 401, 01090 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340101090

Y. Joseph, H. Mehdi, A.M. Brenden, M. William, C.D. Matthieu, S. Kasra, S.W. Kaushini, et al., Phys. Rev. B, 101, 205310-205317 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.205310

D.S. Abramkin, and T.S. Shamirzaev, Semiconductors, 53(5), 703–710 (2019). https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, and N.Y. Sharibaev, Semiconductors, 48, 1287–1292 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063782614100108

D. Luo, L. Wang, Y. Qiu, R. Huang, and B. Liu, Nanomaterials, 24, 1226-1265 (2020). https://doi.org/10.3390/nano10061226

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, and J.I. Mirzaev, E3S Web Conf. 401, 04042 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340104042

E. Kasapoglu, H. Sari, and I. Sökmen, Surf. Rev. Lett. 15, 201–205 (2008). https://doi.org/10.1142/S0218625X08010440

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, N. Sayidov, U. Negmatov, and M. Abduxalimov, AIP Conf. Proc. 2789(1), 040055 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145554

B.P. Koman, Semiconductors, 48(5), 659- 665 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063782614050091

D. Slobodzyan, M. Kushlyk, R. Lys, J. Shykorjak, A. Luchechko, M. Zyłka, W. Zyłka, et al., MDPI Materials, 15, 4052-4063 (2022). https://doi.org/10.3390/ma15124052

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and S.R. Boidedaev, Semiconductors, 34, 260-263 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1187967

Y.N. Qiu, J.M. Rorison, Appl. Phys. Lett. 82, 081111-081113 (2005). https://doi.org/10.1063/1.2034103

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, U. Negmatov, and N. Sayidov, Int. J. Mod. Phys. B, 38(15), 2450185 (2024). https://doi.org/10.1142/S0217979224501856

U. Rani, P.K. Kamlesh, T.K. Joshi, R. Singh, S. Sharma, R. Gupta, T. Kumar, and A.S. Verma, Comput. Condens. Matter, 36, 00835-00845 (2023). https://doi.org/10.1016/j.cocom.2023.e00835.

M.G. Dadamirzaev, M.O. Kosimova, S.R. Boydedayev, and A.S. Makhmudov, East Eur. J. Phys. (2), 372-379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-46

I.M. Tsidilkovskii, Electrons and holes in semiconductors. Energy spectrum and dynamics (Nauka, Moscow, 1972)

L. Landau, Z. Phys. 64, 629-637 (1930). https://doi.org/10.1007/BF01397213

Y. Joseph, H. Mehdi, A.M. Brenden, M. William, C.D. Matthieu, S. Kasra, S.W. Kaushini, et al., Phys. Rev. B, 101, 205310-205317 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.205310

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, U.M. Negmatov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Rom. J. Phys. 68(5-6), 614 (2023). https://rjp.nipne.ro/2023_68_5-6/RomJPhys.68.614.pdf

G.M. Fichtenholz, Fundamentals of Mathematical Analysis: Textbook for Universities (Lan, St. Petersburg, 2001).

W. Zawadzki, A. Raymond, and M. Kubisa, Phys. Status Solidi B, 251(2), 247–262 (2014). https://doi.org/10.1002/pssb.201349251

H. Zheng, A. Song, F. Yang, and Y. Li, Phys. Rev. B, 49(3), 1802-1808 (1994). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.1802

U. Rani, P.K. Kamlesh, T.K. Joshi, S. Sharma, R. Gupta, S. Al-Qaisi, and A.S. Verma, Phys. Scripta, 98, 075902-075907 (2023). https://doi.org/10.1088/1402-4896/acd88a

M. Pazoki, M.B. Johansson, H. Zhu, P. Broqvist, T. Edvinsson, G. Boschloo, and E.M. Johansson, J. Phys. Chem. 120, 29039-29046 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b11745

Опубліковано
2026-03-14
Цитовано
Як цитувати
Еркабоєв, У., Турдієв, У., Дадамірзаєв, М., Рахімов, Р., & Уткіров, Ш. (2026). Моделювання залежності ширини зони від температури та магнітного поля у напівпровідниках з вузькозонними квантовими ямами. Східно-європейський фізичний журнал, (1), 293-301. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-1-34
Номер
№ 1 (2026): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Авторське право (c) 2026 У.І. Еркабоєв, У.Ш. Турдієв, М.Г. Дадамірзаєв, Р.Г. Рахімов, Ш.Х. Уткіров

Ліцезія Creative Commons

Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)