Дослідження імплантації іонів О+ у плівки SiO2(001) при малокутовому іонному бомбардуванні
Анотація
Досліджено процес іонної імплантації при малокутовому іонному бомбардуванні плівки SiO2 (001) при малих значеннях початкової енергії (до 5 кеВ). Поряд з розсіяними іонами О+ спостерігається імплантація іонів. Показано, що геометричні параметри поверхневого півканалу впливають на кут бомбардування, який ініціює процес імплантації. Встановлено, що у випадку неглибокого напівканалу процес імплантації спостерігається більше, ніж глибокого напівканалу при одному значенні кута падіння іонів. Отримано залежність імплантованих іонів від кута їх бомбардування. Виявлено, що кілька бомбардуючих іонів були імплантовані в глибокий поверхневий півканал. Це пояснюється впливом другого атомного ряду півканалу. Отримані результати представляють великий інтерес для вивчення процесу іонної імплантації.
Завантаження
Посилання
J.M. Haile, Molecular Dynamics Simulation -Elementary Methods, (Wiley-Interscience, New York, 1992).
D.P. Woodruff, D. Brown, P.D. Quinn, T.C.Q. Noakes, and P. Bailey, “Structure determination of surface adsorption and surface alloy phases using medium energy ion scattering,” Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 183(1-2), 128-139 (2001). https://doi.org/10.1016/S0168-583X(01)00472-4
D.M. Muradkabilov, D.A. Tashmukhamedova, and B.E. Umirzakov, “Applying low-energy ion implantation in the creation of nanocontacts on the surface of ultrathin semiconductor films,” Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 7(5), 967–971 (2013). https://doi.org/10.1134/S1027451013050376
Y.S. Ergashov, and B.E. Umirzakov, “Structure and Properties of a Bilayer Nanodimensional CoSi2/Si/CoSi2/Si System Obtained by Ion Implantation,” Technical Physics, 63(12), 1820–1823 (2018). https://doi.org/10.1134/S1063784218120058
Z. Xie, and X. Luo, “Energy losses of highly charged Arq+ ions during grazing incidence on tungsten surfaces,” Frontiers in Physics, 12, 2024. https://doi.org/10.3389/fphy.2024.1362594
S.B. Utamuradova, S.K. Daliev, A.K. Khaitbaev, J.J. Khamdamov, K.J. Matchonov, and X.Y. Utemuratova, “Research of the Impact of Silicon Doping with Holmium on its Structure and Properties Using Raman Scattering Spectroscopy Methods,” East Eur. J. Phys. (2), 274-278 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-28
S. Zainabidinov, S.I. Rembeza, E.S. Rembeza, et al., “Prospects for the use of metal-oxide semiconductors in energy converters,” Appl. Sol. Energy, 55, 5–7 (2019). https://doi.org/10.3103/S0003701X19010146
N.Y. Yunusaliyev, “The Gas-Sensitive Properties of Tin Dioxide Films,” East Eur. J. Phys. (4), 439-442 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-4-52
U.O. Kutliev, M.U. Otabaev, M.K. Karimov, F.K. Masharipov, and I. Woiciechowski, “Scattering of low-energy Ne+ ions from the stepped surface of InGaP(001)<110> at the small angles of incidence,” Physics and Chemistry of Solid State, 24(3), 542 548 (2023). https://doi.org/10.15330/pcss.24.3.542-548
U.O. Kutliev, M.U. Otabaev, and M.K. Karimov, “Investigation Ne ions scattering from the stepped InP(001)<ī10> surface,” Journal of Physics: Conference Series, 2388(1), 012092 (2022). https://doi.org/10.1088/1742-6596/2388/1/012092
M.K. Karimov, F.O. Kuryozov, S.R. Sadullaev, M.U. Otabaev, and S.B. Bobojonova, “Investigation of Defect InP(001) Surface by Low Energy Ion Scаttering Spectroscopy,” Materials Science Forum, 1049, 192–197 (2022). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1049.192
H.H. Brongersma, T. Grehl, E.R. Schofield, R.A. Smith, and H.R. ter Veen, “Analysis of the outer surface of platinum-gold catalysts by low-energy ion scattering,” Platinum Metals Review, 54(2), 81-85 (2010). https://doi.org/10.1595/147106710X494358
A. Rafati, Rik ter Veen, and D.G. Castner, “Low energy ion scattering: determining overlayer thickness for functionalized gold nanoparticles,” Surf. Interface Anal. 45(11-12), 2013-2016 (2013). https://doi.org/10.1002/sia.5315
A.S. Ashirov, U.O. Kutliev, S. Xakimov, and S.K. Ismailov, “Low Energy Ar + Ions Scattering from SiO2(001)<Ῑ10> Surface under Grazing Incidencem,” Materials Science Forum, 1049, 152-157 (2022). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1049.152
U. Kutliev, M. Karimov, B. Sadullaeva, and M. Otaboev, “Investigation of the ion scattering process from the A3B5 semiconductors by the computer simulation method,” COMPUSOFT: An International Journal of Advanced Computer Technology, 7(4), 2749–2751 (2018). https://ijact.in/index.php/j/article/view/431/412
M.T. Robinson, MARLOWE Binary Collision Cascade Simulation Program, Version 15b, A Guide for Users, (London, 2002).
M.T. Robinson, “Computer Simulation Studies of High-Energy Collision Cascades,” Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 67(1-4), 396-400 (1992). https://doi.org/10.1016/0168-583X(92)95839-J
L.M. Kishinevsky, “Cross- sections of inelastic atomic collisions,” Izvestiya Phys. Ser. 26, 1410-1414 (1962). (in Russian)
Авторське право (c) 2025 У.О. Кутлієв, А.С. Аширов, Г.X. Аллаярова, А. Саїдова
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
