Характеристики релаксації електричного струму в монокристалі TlInSe2
Анотація
У цьому дослідженні досліджується вольт-амперна характеристика сполуки TlInSe2 при різних температурах, а також релаксація електричного струму при різних напругах (що відповідають різним інтенсивностям електричного поля) при температурі 300 К. З аналізу вольт-амперної характеристики, ми розрахували концентрацію вільних носіїв заряду, рухливість і концентрацію пастки, що дало значення n0 = 5,45‧1018 см-3, μ = 3,03∙10-3 см2/V∙сан, Nₜ = 5,2 × 10¹⁰ см⁻³ відповідно. Залежність електропровідності від температури виявила в кристалі TlInSe2 локальні енергетичні рівні з енергією активації 0,2 еВ і 0,53 еВ. Виявлено, що при низьких постійних напругах (де напруженість електричного поля E < 25 В/м) у сполуці TlInSe2 відбуваються релаксаційні процеси, що призводять до зменшення струму внаслідок накопичення заряду. При вищих напругах (де E > 25 В/м) спостерігалося збільшення струму. Це збільшення пояснюється інжекцією носіїв заряду з контактів, розрядом зарядів, накопичених поблизу контакту під дією електричного поля, і частковим розрядом електронних центрів.
Завантаження
Посилання
H.J. Alasali, U. Rilwan, K.A. Mahmoud, T.A. Hanafy, and M.I. Sayyed, Nuclear Engineering and Technology, 56(10), 4050 (2024). https://doi.org/10.1016/j.net.2024.05.006
E.M. Mahrous, A.M. Al-Baradi, Kh.S. Shaaban, A. Ashour, Sh.A.M. Issa, and H.M.H. Zakaly, Optical Materials, 157(1), 116057 (2024). https://doi.org/10.1016/j.optmat.2024.116057
M. Papailiou, S. Dimitrova, E.S. Babayev, and H. Mavromichalaki, AIP Conference Proceedings, 1203, 748 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3322548
E.S. Babayev, in: Proceedings of the 3rd International Conference on Recent Advances in Space Technologies, RAST 2007, 4284095 (Istanbul, Turkey, 2007). pp.760-767. https://doi.org/10.1109/RAST.2007.4284095
S.G. Asadullayeva, N.A. Ismayilova, and T.G. Naghiyev, Modern Physics Letters B, 37(34), 2350166 (2023). https://doi.org/10.1142/S021798492350166X
Sh.A.M. Issa, A.M. Hassan, M. Algethami, and H.M.H. Zakaly, Ceramics International, 50(20), 38281 (2024). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.07.192
Y.I. Aliyev, Y.G. Asadov, A.O. Dashdemirov, R.D. Aliyeva, T.G. Naghiyev, and S.H. Jabarov, International Journal of Modern Physics B, 33(23), 1950271 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217979219502710
G.М. Аgamirzayeva, G.G. Huseynov, Y.I. Aliyev, T.T. Abdullayeva, and R.F. Novruzov, Advanced Physical Research, 5(1), 19 (2023). https://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Agamirzayeva_et_al.pdf
S.G. Asadullayeva, N.A. Ismayilova, M.A. Musayev, and I.I. Abbasov, International Journal of Modern Physics B, 38(01), 2450007 (2024). https://doi.org/10.1142/S0217979224500073
Y.I. Aliyev, N.A. Ismayilova, R.F. Novruzov, A.O. Dashdamirov, H.J. Huseynov, S.H. Jabarov, and A.A. Ayubov, Modern Physics Letters B, 33(21), 1950242 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217984919502427
R.S. Madatov, A.S. Alekperov, F.N. Nurmammadova, N.A. Ismayilova, and S.H. Jabarov, East European Journal of Physics, (1), 322 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29
S.H. Jabarov, N.A. Ismayilova, D.P. Kozlenko, T.G. Mammadov, N.T. Mamedov, H.S. Orudzhev, S.E. Kichanov, et al., Solid State Sciences, 111, 106343 (2021). https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2020.106343
N.T. Mamedov, S.H. Jabarov, D.P. Kozlenko, N.A. Ismayilova, M.Yu. Seyidov, T.G. Mammadov, and N.T. Dang, International Journal of Modern Physics B, 33(15), 1950149 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217979219501492
A.F. Qasrawi, F.G. Aljammal, N.M. Taleb, and N.M. Gasanly, Physica B: Condensed Matter, 406(14), 2740 (2011). https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.04.018
R.S. Madatov, A.I. Nadzhafov, V.S. Mamedov, and M.A. Mamedov, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 46, 154 (2010). https://doi.org/10.3103/S1068375510020122
R.S. Madatov, A.I. Nadzhafov, T.B. Tagiev, M.R. Gazanfarov, and M.A. Mekhrabova, Physics of the Solid State, 53, 2205 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063783411110151
R.S. Madatov, A.I. Najafov, Yu.M. Mustafayev, M.R. Gazanfarov, and I.M. Movsumova, Semiconductors, 49, 1166 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615090195
M. Ishikawa, T. Nakayama, K. Wakita, Y.G. Shim, and N. Mamedov, Journal of Applied Physics, 123, 161575 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5011337
N. Ismayilova, and S. Asadullayeva, Indian Journal of Physics, 98, 1103 (2024). https://doi.org/10.1007/s12648-023-02858-x
S.G. Asadullayeva, A.O. Dashdemirov, A.S. Alekperov, N.A. Ismayilova, A.A. Hadieva, A.N. Cafarova, and A.S. Abiyev, Advanced Physical Research, 5(1), 12 (2023). https://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Asadullayeva_et_al.pdf
T.G. Naghiyev, R.F. Babayeva, Y.I. Aliyev, European Physical Journal B, 97(6), 86 (2024). https://doi.org/10.1140/epjb/s10051-024-00731-2
A.K. Nabiyeva, S.H. Jabarov, N.A. Ismayilova, and H.J. Huseynov, Ferroelectrics Letters Section, 51(1-3), 9 (2024). https://doi.org/10.1080/07315171.2023.2300594
N. Iram, R. Sharma, J. Ahmed, R. Almeer, A. Kumar, and Z. Abbas, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 196, 112368 (2025). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2024.112368
N.S. Ezra, I.S. Mustafa, M.I. Sayyed, K.K. Dakok, I.M. Fadhirul, T.H. Khazaalah, G.I. Efenji, et al., Optical Materials, 155, 115907 (2024). https://doi.org/10.1016/j.optmat.2024.115907
G.B. Ibragimov, R.Z. Ibaeva, A.S. Alekperov, and B.G. Ibragimov, Advanced Physical Research, 6(1), 56 https://doi.org/10.62476/apr61.62
H.F. Khalil, S.A.M. Issa, S.G. Elsharkawy, R.B. Malidarreh, S. Gad, A. Badawi, F. Fakhry, and H.M.H. Zakaly, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 112, 898 (2024). https://doi.org/10.1007/s10971-024-06520-8
T.A. Darziyeva, E.S. Alekperov, S.H. Jabarov, M.N. Mirzayev, Integrated Ferroelectrics, 232(1), 127 (2023). https://doi.org/10.1080/10584587.2023.2173447
Авторське право (c) 2025 Р.С. Мадатов, А.І. Наджафов, М.А. Мамедов, А.С. Алекперов, З.І. Асадова, Ф.Г. Асадов, Р.Е. Гусейнов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
