Дослідження чутливих термосенсорів на основі Si<Pt> і Si<Pd>
Анотація
У цій роботі розроблено нові чутливі термосенсори на основі Si<Pt> і Si<Pd>. Для дослідження використовували монокристалічні зразки кремнію n- і p-типу, леговані фосфором і бором під час росту. Ці зразки спочатку легували платиною і паладієм, потім піддавали омічному контакту з нікелем. Для виготовлення датчиків температури на основі n-Si˂Pd˃ та отримання омічного контакту цей матеріал піддавався відповідній механічній та хімічній обробці. На його поверхню хімічно осаджували металевий нікель товщиною d = 1 мкм з наступним термічним відпалом у вакуумі при T = 400-450℃ протягом t = 10 – 15 хвилин. Для порівняння створених датчиків температури був розроблений спеціальний вимірювальний прилад – термостат, який забезпечує рівномірний теплообмін.
Завантаження
Посилання
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, P.L. Tuan, A.S. Doroshkevich, R.Sh. Isayev, and A.S. Abiyev, “Studying the Influence of Proton Irradiation on the Distribution Profile of Pt and Cr in Surface Layers n-Si˂Pt˃, n-Si˂Сr˃ Using Ellipsometric Spectroscopy,” Advanced Physical Research, 6(2), 83 (2024). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V6N2/Utamuradova_et_al.pdf
M.K. Bakhadyrkhanov, S.A. Valiev, S.S. Nasriddinov, and S.A. Tachilin, “Sensitive thermal sensors based on highly compensated silicon,” Electronic processing of materials, 43(6), 111 (2007). https://eom.ifa.md/ru/journal/download/752. (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, D.A. Rakhmanov, S.F. Samadov, and A.S. Doroshkevich, “Investigation of Radiation Defect Formation of Irradiated n-Si,” Advanced Physical research, 5(3), 183 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N3/7.Utamuradova.pdf
Utamuradova, Sh.B., Matchonov, Kh.J., Khamdamov, J.J., & Utemuratova, Kh.Y. X-ray diffraction study of the phase state of silicon single crystals doped with manganese. New Materials, Compounds and Applications, 7(2), 93-99, (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v7n2/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons,” E3S Web of conferences, 402, 14014 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214014
Kh.S. Daliev, Z.E. Bahronkulov, J.J. Hamdamov, “Investigation of the Magnetic Properties of Silicon Doped with Rare-Earth Elements,” East Eur. J. Phys. (4), 167 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-18
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, V.A. Kinev, O.Yu. Ponamareva, et al., Advanced Physical research, 5(2), 73-80 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N2/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, K.M. Fayzullaev, B.A. Bakirov, Applied Physics, 2, 33–38 (2022). (in Russian).
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and D.X. Mamajonova, “Decay of Impurity Clusters of Nickel and Cobalt Atoms in Silicon under the Influence of Pressure,” Journal of Nano- and Electronic Physics, 13(5), 05006 (2021). https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05006
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, I.G. Genov, P.L. Tuan, and А. Kirillov, “Processes of Defect Formation in Silicon Diffusion-Doped with Platinum and Irradiated with Protons,” Eurasian physical technical journal, 20(3), 35 (2023). https://doi.org/10.31489/2023No3/35-42. (in Russian)
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigation of Optical Characteristics of Photochromic Materials,” Physics AUC, 33, 139-145 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, and A.S Abiyev, “Influence of Different Types of Radiation on the Crystal Structure of Silicon Monocrystals n-Si,” East Eur. J. Phys. (2), 380 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-47
L. So, and S.K. Ghandhi, “The energy levels of palladium in silicon,” Solid-State Electronics, 20, 113-117 (1977). https://doi.org/10.1016/0038-1101(77)90059-4
M.A. Alanazi, “Development and experimental testing of an innovative nondestructive thermal sensor utilizing the thermal interrogation method for detecting leakage in water plastic pipes,” Flow Measurement and Instrumentation, 98, 102646 (2024). https://doi.org/10.1016/j.flowmeasinst.2024.102646
O. Quldashov, Sh. Ergashev, G. Kochkorova, I. Tishabayeva, M. Тeshaboyev, and N. Tashlanova, “Stand-alone solar optic device based on aps-photodeciver,” E3S Web of Conferences, 508, 01010 (2024). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202450801010
A.S. Rysbaev, M.T. Normuradov, A.M. Rakhimov, Z.A. Tursunmetova, and A.K. Tashatov, Journal of Surface Investigation, (11), 61 (2020). https://doi.org/10.31857/S102809602011014X
O. Kuldashov, O. Rayimdjanova, B. Djalilov, Sh. Ergashev, S. Toxirova, and A. Muhammadjonov, “Stabilization of parameters of optoelectronic devices on semiconductor emitters,” E3S Web of Conferences, 508, 01001 (2024). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202450801001
Авторське право (c) 2024 Шаріфа Б. Утамурадова, Ділмурод А. Рахманов, Афсун С. Абієв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
