Вплив фталевої кислоти на процес розвитку дендритів поліетилену низької густини при електричному пробої
Анотація
У представленій роботі представлені результати дослідження впливу невеликих кількостей добавок фталевої кислоти на утворення дендритів у поліетилені низької щільності (ПЕНЩ). На підставі отриманих результатів показано, що дендритна стійкість ПЕНЩ, як і очікувалося, зростає при введенні 0,05 мас.% фталевої кислоти. Встановлене підвищення дендритостійкості ПЕНЩ із введенням фталевої кислоти в першу чергу можна пояснити зменшенням неоднорідностей у вигляді повітряних пор внаслідок прискореного структуроутворення та виникнення більш однорідної надмолекулярної структури. Виявлено, що підвищення опору дендритів корелює з поліпшенням діелектричних характеристик композиції. Досліджено вплив механічного навантаження на розвиток дендритів у полімерних діелектриках. У результаті дослідження росту дендритів у зразках ПЕНЩ та його оптимального складу, підданих однобічному розтягуванню, встановлено, що під дією механічних розтягуючих напружень змінюється форма поверхні, що обмежує деревоподібні пагони, ця поверхня сплющується в напрямок розтягування. Було показано, що швидкість росту дендритів зростає зі збільшенням механічних сил розтягування.
Завантаження
Посилання
Y.I. Alıyev, F.G. Asadov, T.M. Ilyaslı, A.O. Dashdemirov, R.E. Huseynov, and S.H. Jabarov, Ferroelectrics, 599, 78 (2022). https://doi.org/10.1080/00150193.2022.2113641
S.H. Jabarov, A.Kh. Nabiyeva, A.V. Trukhanov, S.V. Trukhanov, H.J. Huseynov, and Y.I. Aliyev, SOCAR Proceedings, 4, 171 (2023). http://dx.doi.org/10.5510/OGP20230400931
F.G. Agayev, S.H. Jabarov, G.Sh. Ayyubova, A.V. Trukhanov, S.V. Trukhanov, M.N. Mirzayev, T.G. Naghiyev, and N.T. Dang, Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 33, 2867 (2020). https://doi.org/10.1007/s10948-020-05544-9
T.M. Ilyasli, N.Sh. Mammadova, F.M. Sadigov, R.E. Huseynov, and Y.I. Aliyev, East European Journal of Physics, 2, 297 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-33
Kh.N. Ahmadova, and S.H. Jabarov, Arabian Journal for Science and Engineering, 48, 8083 (2023). https://doi.org/10.1007/s13369-022-07449-2
R.J. Bashirov, N.E. Ismayilov, R.E. Huseynov, and N.M. Muradov, Advanced Physical Research, 6, 90 (2024). https://doi.org/10.62476/apr62.90
F.V. Hajiyeva, A. Chianese, A.A. Novruzova, and M.A. Ramazanov, Advanced Physical Research, 3(3), 129 (2021). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V3N3/3Hajiyeva_et_al.pdf
E.M. Gojayev, Sh.V. Aliyeva, V.V. Salimova, A.Yu. Meshalkin, and S.H. Jabarov, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 56, 740 (2020). https://doi.org/10.3103/S106837552006006X
E.M. Gojayev, V.V. Salimova, and S.H. Jabarov, Modern Physics Letters B, 33, 1950412 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217984919504128
E.M. Gojayev, Sh.V. Aliyeva, X.S. Khalilova, G.S. Jafarova, and S.H. Jabarov, International Journal of Modern Physics B, 33(26), 1950309 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217979219503090
V.A. Volokin, O.S. Geffle, S.M. Lebedov, Journal of Applied Mechanics and Technical Physics, 50(1), 72 (2009). https://www.sibran.ru/upload/iblock/5e8/5e85ecc2a555187f73f9a583a632f068.pdf
O.S. Gelfle, S.M. Lebedev, and V.Y. Uschekkov, Journal of Physics D: Applied Physics, 37, 2318 (2004). http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/37/16/015
M.D. Noskov, A.S. Malinovsky, M. Zakk, and A.Y. Shvab, Journal of Technical Physics, 72(2), 121 (2002). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/40073
S.M. Lebedov, O.S. Geffle, V.A. Volokin, and P.V. Tarasov, in: Proc. of the 15th Intern. symp. on high voltage engug, (Ljubljana, 2007), p. 476.
M.M. Rezinkina, Journal of Technical Physics, 75(6), 85 (2005). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/8582
C. Poliska, Z. Gácsi, P. Barkóczy. Materials Science Forum, 508, 169-174 (2006). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.508.169
N. Shimizu, and C. Laurent, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 5(5), 113 (1998) https://doi.org/10.1109/94.729688
P.J. Sweeney, L.A. Dissado, and J.M. Cooper, Journal of Physics D: Applied Physics, 25(1), 113 (1992) https://doi.org/10.1088/0022-3727/25/1/016
Sh.A. Zeynalov, B.G. Garadzhaev, S.Kh. Khalilov, F.Sh. Kerimov, and A.M. Alekperov, Norwegian Journal of Development of the International Science, 86, 53 (2022). https://doi.org/10.5281/zenodo.6606629
E.M. Gojaev, A.A. Abdurragimov, F.Sh. Kerimov, and S.İ. Safarova, AzTU Journal of Scientific Proceedings of Fundamental Science, 2, 56 (2018).
O.S. Geffle, S.M. Lebedov, and Y. P. Pokholkov, in: IEEE International Conference on Solid Dielectrics, (Winchester, UK, 2007), pp. 142-145. http://dx.doi.org/10.1109/ICSD.2007.4290773
V.M. Biskov, and V.M.Kosenkov, Electronic Materials Processing, Chisinau, 49(4), 51 (2013). https://eom.ifa.md/ru/journal/shortview/899
M.M. Rezinkina, O.L. Rezinkin, and M.I. Nosenko, Journal of Technical Physics, 71(3), 69 (2001). https://repository.kpi.kharkov.ua/server/api/core/bitstreams/674b7ccf-5360-41e8-828a-ccf498a3ee38/content
L.A. Dissado, J.C. Fothergill, N. Wise, J. Cooper, J. Phys. D: Appl. Phys. 33(19), L109 (2000). https://doi.org/10.1088/0022-3727/33/19/103
A. Tallove, and S. Hagness, Computational Electrodynamics: The finite difference time domain method, (Artech House, Boston; London, 2000).
Авторське право (c) 2024 Ш.А. Зейналов, Х.Н. Везіров, Ф.Ш. Керімов, С.І. Сафарова, К.Й. Гульмамедов, А.С. Алекперов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
