Структура ВАХ PtSi - Si<Pt>-M в широкому діапазоні температур
Анотація
У роботі розглянуто механізм протікання струму при освітленні з hν≥Eg в інтервалі температур 77÷300 К. Встановлено, що в структурі PtSi – Si<Pt>-M в інтервалі температур 77÷270 К реалізується режим обмежених струмів об’ємного заряду (СКЗ). На вольт-амперних характеристиках конструкцій спостерігаються ділянки лінійної та квадратичної залежності струму від напруги, а також області різкого зростання струму. Ці особливості вольт-амперної характеристики пояснюються наявністю структур глибокого рівня та рівнів прилипання носіїв заряду в базовій області. За температурною залежністю СКЛК визначено концентрацію рівнів адгезії (1,8÷3) ·1015 см-3 і коефіцієнт адгезії 6,32·10-2. В інтервалі температур 77÷115 К при напругах 0,2÷1 В вольт-амперна характеристика підкоряється закону J ~ Un(n=3÷4), а вище U – закону J ~ U6 з наступним переходом до квадратичний закон.
Завантаження
Посилання
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigations of Nonlinear Optical Properties of Lithium Niobate Crystals,” East Eur. J. Phys. (4), 147 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, and M.A. Yuldoshev, Russian Microelectronics, 52(Suppl. 1), S99-S103 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360022X
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigation of Optical Characteristics of Photochromic Materials,” Physics AUC, 33, 139-145. (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
B.A. Lombo, “Deep levels in semiconductors,” S. Can. J. Chem. 63, 1666 (1985). http://dx.doi.org/10.1139/v85-279
A.A. Lebedev, “Deep level centers in silicon carbide: A review,” Semiconductors, 33(2), 107-130 (1999). https://doi.org/10.1134/1.1187657
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Érgashev, “Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium,” Semiconductors, 32(6), 606–607 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, and X.Yu. Utemuratova, “Investigation of defect formation in silicon doped with silver and gadolinium impurities by raman scattering spectroscopy,” East European Journal of Physics, (3), 430–433 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells,” Geliotekhnika, 1, 85–87 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
M.Sh. Isaev, I.T. Bozarov, and A.I. Tursunov, “Investigation of thermally stimulated conductivity of cobalt silicide,” E3S Web of Conferences, 402, 14019 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214019
M.Sh. Isaev, T.U. Atamirzaev, M.N. Mamatkulov, U.T. Asatov, and M.A. Tulametov, “Study of the mobility and electrical conductivity of chromium silicide,” East European Journal of Physics, (4), 189–192 (2023). http://dx.doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-22
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, “The effect of thermal annealing on the electrophysical properties of samples n-Si,” East European Journal of Physics, (3), 287–290 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-26
P.R. Berger, G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, M.K. Uktamova, and S.R. Boidedaev, “Influence of microwave and magnetic fields on the electrophysical parameters of a tunnel diode,” Romanian journal of physics, 69, 609 (2024). https://rjp.nipne.ro/accpaps/594CF41F1C91CCE710E9B3070FF760461CC68693.pdf
J.J. Liou, “Non-quasi-static capacitance of p/n junction space-charge regions,” Solid-State Electronics, 31(1), 81-86 (1998). http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90088-3
S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, S.A. Muzafarova, K.M. Fayzullaev, “Effect of the diffusion of copper atoms in polycrystalline CdTe films doped with Pb atoms,” East European Journal of Physics, (3), 385–390 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-4
Авторське право (c) 2024 Абдугафур Т. Мамадалімов, Махмудходжа Ш. Ісаєв, Тохірджон У. Атамірзаєв, Шамсиддін Н. Ерназаров, Мухтор К. Карімов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
