Дослідження неоднорідносте над компенсованих зразків кремнію, легованих марганцем
Анотація
Методом локальної фото-ЕРС досліджено неоднорідності приповерхневої області дифузійно-легованого атомами марганцю кремнію та зареєстровано сигнали фотоелектричної напруги та фотопровідності. Встановлено, що неоднорідна область розташована на глибині 3÷35 мкм від поверхні кристала. Величина фото-ЕРС в цих шарах не змінюється монотонно від точки до точки. Виявлено, що спектри фото-ЕРС залежать від довжини хвилі опромінюваного світла, а форма ділянок і їх зсув пов'язані з глибиною проникнення лазерного випромінювання. Сигнал фото-ЕРС зростає до глибини ~25 мкм від поверхні, потім насичується і від ~30 мкм плавно спадає і повністю зникає на глибині ~40 мкм. Величину внутрішнього електричного поля визначали методом Таука. Запропоновано модель структури приповерхневої області дифузійно легованого кремнію марганцем.
Завантаження
Посилання
B.A. Lombo, “Deep levels in semiconductors,” S. Can. J. Chem. 63, 1666 (1985). http://dx.doi.org/10.1139/v85-279
A.A. Lebedev, “Deep level centers in silicon carbide: A review,” Semiconductors, 33(2), 107-130 (1999). https://doi.org/10.1134/1.1187657
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Érgashev, “Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium,” Semiconductors, 32(6), 606–607 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, and X.Yu. Utemuratova, “Investigation of defect formation in silicon doped with silver and gadolinium impurities by raman scattering spectroscopy,” East European Journal of Physics, (3), 430–433 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 1, 85–87 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
M.Sh. Isaev, I.T. Bozarov, and A.I. Tursunov, “Investigation of thermally stimulated conductivity of cobalt silicide,” E3S Web of Conferences, 402, 14019 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214019
M.Sh. Isaev, T.U. Atamirzaev, M.N. Mamatkulov, U.T. Asatov, and M.A. Tulametov, “Study of the mobility and electrical conductivity of chromium silicide,” East European Journal of Physics, (4), 189–192 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-22
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, and M.A. Yuldoshev, “Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures,” Russian Microelectronics, 52(Suppl. 1), S99–S103 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360022X
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, “The effect of thermal annealing on the electrophysical properties of samples n-Si,” East European Journal of Physics, (3), 287–290 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-26
P.R. Berger, G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, M.K. Uktamova, and S.R. Boidedaev, “Influence of microwave and magnetic fields on the electrophysical parameters of a tunnel diode,” Romanian journal of physics, 69, 609 (2024). (Accepted Manuscripts)
J.J. Liou, “Non-quasi-static capacitance of p/n junction space-charge regions,” Solid-State Electronics, 31(1), 81-86 (1998). http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90088-3
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
