Вплив різних видів випромінювання на кристалічну структуру монокристалів кремнію n-Si
Анотація
У цій роботі методом рентгенівської дифракції досліджено вплив альфа-частинок, протонів і гамма-випромінювання на кристалічну структуру та структурні характеристики монокристалів кремнію n-типу (n-Si). Для дослідження використовували кремній N-типу (KEF-40). Зразки опромінювали протонами дозою 9×1014 см-2 з енергією 600 кеВ і силою струму 1÷1,5 мкА, опромінювали альфа-частинками дозою 6×1014 см-2 з енергією 800 кеВ і струмом 0,5÷1 мкА та квантами γ− 60Co з інтенсивністю потоку ~ 3,2×1012 квант/см2·с. За результатами рентгеноструктурного аналізу встановлено, що спотворення які виниклі після опромінення, вакансії та аморфізація параметрів ґратки призводять до збільшення параметрів ґратки.
Завантаження
Посилання
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, D.A. Rakhmanov, S.F. Samadov, and A.S. Doroshkevich, “Investigation of Radiation Defect Formation of Irradiated n-Si,” Advanced Physical research, 5(3), 183-191 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N3/7.Utamuradova.pdf
V.A. Kozlov, and V.V. Kozlovskiy, “Doping of semiconductors with radiation defects when irradiated with protons and alpha particles. Review,” Physics and technology of semiconductors, 35(7), (2001). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/37060 (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons,” E3S Web of conferences, 402, 14014 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214014
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, V.A. Kinev, O.Yu. Ponamareva, et al., “IR spectroscopy of n-Si irradiated with protons,” Advanced Physical research, 5(2), 73-80 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N2/Utamuradova_et_al.pdf
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and D.X. Mamajonova, “Decay of Impurity Clusters of Nickel and Cobalt Atoms in Silicon under the Influence of Pressure,” Journal of Nano- and Electronic Physics, 13(5), 05006 (2021). https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05006
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, I.G. Genov, P.L. Tuan, and А. Kirillov, “Processes of defect formation in silicon diffusionally doped with platinum and irradiated with protons,” Eurasian physical technical journal, 20(3), 35-42 (2023). https://doi.org/10.31489/2023No3/35-42
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “X-Ray Structural Investigations Of n-Si Irradiated with Protons,” East Eur. J. Phys. 2, 201 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-21
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, Physics AUC, 33, 139-145 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
R. Jenkins, X-ray Techniques: Overview in Encyclopedia of Analytical Chemistry, edited by R.A. Meyers (John Wiley & Sons Ltd, Chichester, 2000).
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, and K.M. Fayzullaev, “X-ray structural analysis of n-Si, irradiated with alpha particles,” New materials, compounds and applications, 6(3), 214 (2022). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V6N3/Utamuradova_et_al.pdf
H.M. Rietveld. “A Profile Refinement Method for Nuclear and Magnetic Structures,” J. Appl. Cryst. 2, 65 (1969). https://doi.org/10.1107/s0021889869006558
S. Stefanoski, M.C. Blosser, and G.S. Nolas, “Pressure Effects on the Size of Type-I and Type-II Si-Clathrates Synthesized by Spark Plasma Sintering,” Crystal Growth & Design, 13, 195 (2013). https://doi.org/10.1021/cg3013443
A.S. Abiyev, E.M. Huseynov, and R.F. Hashimov, “Gamma radiation-induced alterations in nanocrystalline titanium nitride (TiN) particles: A structural perspective,” Radiation Physics and Chemistry, 218, 111638 (2024). https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2024.111638
S.F. Samadov, A.S. Abiyev, A.G. Asadov, N.V.M. Trung, A.A. Sidorin, O.A. Samedov, E.P. Popov, et al., “Investigating the crystal structure of ZrB2 under varied conditions of temperature, pressure, and swift heavy ion irradiation,” Ceramics International, 50(2), Part B, 3727-3732 (2023). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.11.125
O.V. Skalyauh, Ph.D. Thesis, Ulyanovsk, (2005). https://www.dissercat.com/content/defektoobrazovanie-v-kremnii-pri-obluchenii-alfa-chastitsami-s-energiei-54-mev
N.M. Bogatov, L.R. Grigorian, A.I. Kovalenko, F.A. Kolokolov, and L.S. Lunin, “Influence of Radiation Defects Induced by Low-Energy Protons at a Temperature of 83K on the Characteristics of Silicon Photoelectric Structures,” Semiconductors, 54, 196 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063782620020062
Авторське право (c) 2024 Шаріфа Б. Утамурадова, Ділмурод А. Рахманов, Афсун С. Абієв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
