Механізм транспорту заряду в імплантованому монокристалі p-GaSe:H+
Анотація
У дослідженні проаналізовано вплив радіаційних дефектів монокристала p-GaSe, імплантованого іонами H+ (70 кеВ), на механізм переносу заряду. Дослідження проводили при 100К і 300К в електричному полі 102-104 В/см. Дослідження показало, що енергія активації носіїв заряду, інжектованих при низьких температурах і електричних полях E < 103 В/см, коливалася в межах 0,23-0,39 еВ. Це спостерігалося через захоплення носіїв заряду в концентраційні пастки приблизно 9·1013 см-3, що призвело до монополярної інжекції. У полях E > 103 В/см спостерігалося різке зростання струму, що пояснювалося термоіонізацією локальних рівнів за механізмом Френкеля. Дослідженням встановлено, що механізм переносу заряду в кристалах GaSe:H+ при низьких температурах має неактивований характер.
Завантаження
Посилання
R.S. Madatov, Sh.G. Gasimov, S.S. Babayev, A.S. Alekperov, I.M. Movsumova, and S.H. Jabarov, “Features of the electrical-conductivity mechanism in γ-Irradiated TlInSe2 single Crystals under hydrostatic pressure,” Semiconductors, 54, 1180-1184 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063782620100206
N.T. Dang, D.P. Kozlenko, S.E. Kichanov, S.G. Jabarov, A.I. Mammadov, R.Z. Mekhtieva, and T.L. Phan, et al., “Revealing the formation mechanism and effect of pressure on the magnetic order of multiferroic BiMn2O5 through neutron powder diffraction,” Journal of Electronic Materials, 46, 3373-3380 (2017). https://doi.org/10.1007/s11664-017-5351-x
H.N. Nazarov, T.O. Rakhimov, and B.B. Yusupov, “Mathematical models of multi-coordinate electromechatronic systems of intellectual robots,” Journal of Modern Technology and Engineering, 4(1), 47-51 (2019). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/JTME/V4N1/Nazarov.pdf
A.S. Alekperov, A.O. Dashdemirov, A.E. Shumskaya, and S.H. Jabarov, “High-temperature exciton photoconductivity of Ge1 xNdxS crystals,” Crystallography Reports, 66, 1322-1327 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063774521070026
S.H. Jabarov, “High pressure effect on the crystal structure of the BaTiO3,” International Journal of Modern Physics B, 33(30), 1950357 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217979219503570
R.S. Madatov, A.S. Alekperov, F.N. Nurmammadova, N.A. Ismayilova, and S.H. Jabarov, “Preparation of n-Si-p-GaSe heterojunctions based on an amorphous GaSe layer without impurities and study of their electrical properties,” East European Journal of Physics, (1), 322-326 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and Z.E. Bahronkulov, “Electrophysical properties of silicon doped with lutetium,” Advanced Physical Research, 6(1), 42-49 (2024). https://doi.org/10.62476/apr61.49
A.S. Alekperov, S.H. Jabarov, M.N. Mirzayev, E.B. Asgerov, N.A. Ismayilova, Y.I. Aliyev, T.T. Thabethe, and N.T. Dang, “Effect of gamma irradiation on microstructure of the layered Ge0.995Nd0.005S,” Modern Physics Letters B, 33(09), 1950104 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217984919501045
S.R. Azimova, N.M. Abdullayev, Y.I. Aliyev, M.N. Mirzayev, V.A. Skuratov, A.K. Mutali, and S.H. Jabarov, “Study on the thermodynamic behavior of Sb-Te binary systems with swift heavy-ions irradiation at the high temperatures,” Journal of the Korean Physical Society, 77, 240-246 (2020). https://doi.org/10.3938/jkps.77.240
G.М. Аgamirzayeva, G.G. Huseynov, Y.I. Aliyev, T.T. Abdullayeva, and R.F. Novruzov, “Crystal structure and magnetic properties of the compound Cu3Fe0.5Se2,” Advanced Physical Research, 5(1), 19-25 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Agamirzayeva_et_al.pdf
Z.D. Kovalyuk, O.A. Politanska, O.N. Sydor, and V.T. Maslyuk, “Electrical and photoelectric characteristics of structures based on InSe and GaSe layered semiconductors irradiated with 12.5-MeV electrons,” Semiconductors, 42, 1292–1297 (2008). https://doi.org/10.1134/S1063782608110092
A.Z. Abasova, R.S. Madatov, and V.I. Stafeev, Radiation-stimulated processes in chalcogenide structures, (Elm, Baku, 2010).
A.A. Garibov, R.S. Madatov, F.F. Komarov, V.V. Pilko, Yu.M. Mustafayev, F.I. Akhmedov, and M.M. Jakhangirov, “Spectrometry of the Rutherford backscattering of ions and the Raman scattering of light in GaS single crystals irradiated with 140-keV H2+ ions,” Semiconductors, 49, 586-589 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615050073
F.F. Komarov, O.V. Mil'chanin, V.V. Pil'ko, and Yu.G. Fokov, “Formation of extended defects in silicon by high-dose implantation of hydrogen ions,” Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 4, 27-30 (2008).
A.G. Milnes, Deep impurities in semiconductors, (N.Y.-London, 1973).
O.B. Tagiev, and G.A. Kasimova, “Charge transfer in (Ga2S3)1-x(Eu2O3)x single crystals in strong electric fields,” Physica Status Solidi (a), 128, 167-174 (1991). https://doi.org/10.1002/pssa.2211280119
R.S. Madatov, G.B.Baylarov, R.M. Mamishova, and U.F. Faradjova, “Effect of γ-radiation defects on the electrophysical properties in the p-CuTlS monocrystal,” Journal of Radiation Researches, 8(1), 24-29 (2021). https://jradres.az/storage/473/4)-Journal-of-Radiation-Researches,-vol.8,-No.1,-2021,-pp.24-29.pdf
G.J. Dienes, and A.C. Damask, “Radiation enhanced diffusion in solids,” Journal of Applied Physics, 29(12), 1713 (1958). https://doi.org/10.1063/1.1723032
Авторське право (c) 2024 Р.С. Мадатов, А.С. Алекперов, С.А. Гациева, Н.М. Мурадов, Р.Е. Гусейнов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
