Модель радіаційно-індукованого руху рідких включень у кристалі

  • Олександр П. Кулик Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0002-7389-3888
  • Оксана В. Подшивалова Національний аерокосмічний університет “Харківський авіаційний інститут”, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0001-9680-9610
  • Михайло Ю. Шевченко Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна; ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, Харків, Україна
  • Віктор І. Ткаченко Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна; ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0002-1108-5842
  • Ірина В. Гарячевська Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0002-4630-9519
  • Тору Аокі Науково-дослідний інститут електроніки, Університет Шизуоки, Хамамацу, Японія https://orcid.org/0000-0002-6107-3962
Ключові слова: кристалічна матриця, точкові дефекти, включення розчину, радіаційно-індукований рух, міжфазна межа, статистичний підхід

Анотація

Сформульовано фізичну модель руху рідких включень у кристалі у полі сил, спричинених наявністю точкових дефектів радіаційного походження. В основу моделі покладено статистичний підхід до процесів індукованих переходів структурних елементів кристалічної матриці на міжфазній границі з власним розчином. З енергетичного принципу отримано аналітичну залежність швидкості сферичного азимутально-симетричного включення від його розміру, що враховує пороговий характер руху. Показано, що теоретична залежність добре корелює з експериментальними результатами, отриманими для включень насиченого водного розчину в кристалах хлориду калію, опромінених високоенергетичними електронами. Запропонована модель радіаційно-індукованого руху рідкого включення є динамічною і дозволяє інтерпретувати характер зміни швидкостей включень у кристалі у часі для визначення характерних енергетичних параметрів точкових дефектів.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

N.A. Azarenkov, V.N. Vojevodin, V.G. Kirichenko, G.P. Kovtun, The Journal of Kharkiv National University, Physical series "Nucleus, Particles, Fields". 1(45) 887, 4 (2010), http://nuclear.univer.kharkov.ua/lib/887_1(45)_10_p04-24.pdf

L.I. Barabash, I.N. Vishnevsky, A.A. Groza, A.Ya. Karpenko, P.G. Litovchenko, M.I. Starchik, Problems of Atomic Science and Technology. 2, 182 (2007), https://vant.kipt.kharkov.ua/TABFRAME2.html

A. Karmakar, J. Wang, J. Prinzie, V. Smedt, P. Leroux, Radiation. 1(3), 194 (2021), https://doi.org/10.3390/radiation1030018

V. Gnatyuk, O. Maslyanchuk, O. Kulyk, S. Shishiyanu, T. Aoki, Proceedings of SPIE, 12241, 122410M-1-8 (2022), https://doi.org/10.1117/12.2633410

V. Gnatyuk, S. Levytskyi, O. Maslyanchuk, O. Kulyk, T. Aoki, Proceedings of SPIE, 12126, 1212614-1-8 (2021), https://doi.org/10.1117/12.2615569

A. Lushchik, Ch. Lushchik, E. Vasil’chenko, A.I. Popov, Low Temperature Physics/Fizika Nizkikh Temperatur, 44(4), 357 (2018), https://doi.org/10.1063/1.5030448

N. Itoh, A.M. Stoneham, Materials Modification by Electronic Excitation, (Cambridge University Press, 2000), 520 p.

О.P. Kulyk, O.V Podshyvalova, Bulletin of Kharkiv National Automobile and Highway University, 36, 91 (2007). (In Russian).

A.P. Kulik, O.V. Podshyvalova, and I.G. Marchenko, Problems of Atomic Science and Technology, 2(120), 13 (2019), https://vant.kipt.kharkov.ua/ARTICLE/VANT_2019_2/article_2019_2_13.pdf

О.P. Kulyk, V.I Tkachenko, O.V. Podshyvalova, V.A. Gnatyuk, and T. Aoki, J. Cryst. Growth, 530, 125296-1-7 (2020), https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125296

O.L. Andrieieva, V.I. Tkachenko, O.P. Kulyk, O.V. Podshyvalova, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, East European Journal of Physics, 4, 59 (2021), DOI: 10.26565/2312-4334-2021-4-06

O.P. Kulyk, O.V. Podshyvalova, O.L. Andrieieva, V.I. Tkachenko, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Problems of Atomic Science and Technology, 1(137), 154 (2022), https://doi.org/10.46813/2022-137-154

O.P. Kulyk, L.A. Bulavin, S.F. Skoromnaya, and V.I. Tkachenko, in: Engineering for Sustainable Future. Inter-Academia 2019. Lecture Notes in Networks and Systems(LNNS), vol. 101, edited by A.R. Varkonyi-Koczy (Springer, Cham, 2020) pp. 326-339, https://doi.org/10.1007/978-3-030-36841-8_32

О.P. Kulyk, V.I. Tkachenko, O.L. Andrieieva, O.V Podshyvalova, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, in: Research and Education: Traditions and Innovations. INTER-ACADEMIA 2021. Lecture Notes in Networks and Systems, vol. 422 (Springer, Singapure, 2022) pp. 141-158, https://doi.org/10.1007/978-981-19-0379-3_14

Ya.E. Geguzin, and N.N. Ovcharenko, Sov. Phys. Uspekhi, 5(1), 129 (1962), https://dx.doi.org/10.1070/PU1962v005n01ABEH003403

W.W. Mullins, Journal of Applied Physics, 30(1), 77 (1959), https://doi.org/10.1063/1.1734979

Ya.E. Geguzin, Yu.S. Kaganovskij. Diffusion Processes on a Crystal Surface, (Ehnergoatomizdat, Moscow,1984), 128 p. (In Russian).

V.M. Kuklin, The Journal of Kharkov National University, Physical series: Nuclei, Particles, Fields, 933(4/48), 4 (2010). (In Russian).

A. Einstein, Physikalische Gesellschaft Zürich, Mitteilungen 18, 47 (1916).

H.B. Dwight, Tables of Integrals and Other Mathematical Data, 4th edition, (The Macmillan Company, 1961).

A. Betz, Die Naturwissenschaften, XV(46) 905 (1927).

V.S. Kruzhanov, O.V. Podshyvalova, Sov. Solid State Physics, 32(2) 373 (1990). (In Russian).

Опубліковано
2023-09-04
Цитовано
Як цитувати
Кулик, О. П., Подшивалова, О. В., Шевченко, М. Ю., Ткаченко, В. І., Гарячевська, І. В., & Аокі, Т. (2023). Модель радіаційно-індукованого руху рідких включень у кристалі. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 570-577. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-67