Розрахунок щільності розподілу електронних станів у зоні провідності з фундаментальних спектрів поглинання аморфних напівпровідників

  • Рустамжон Г. Ікрамов Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-1629-1300
  • Хуршидбек А. Мумінов Наманганський інженерно-технологічний інститут,Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-6547-2592
  • Машхура А. Нурітдінова Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан
  • Бобур К. Султонов Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан
  • Ойбек T. Холмірзаєв Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан
Ключові слова: аморфні напівпровідники, спектри оптичного поглинання, метод апроксимації Девіса-Мотта, формула Кубо-Грінвуда, фундаментальний спектр поглинання, часткові спектри поглинання, спектр міжзонного поглинання, електронний розподіл густини стану

Анотація

Теоретично досліджено область фундаментального поглинання в оптичних спектрах аморфних напівпровідників з використанням наближення Девіса-Мотта за формулою Кубо-Грінвуда. Як відомо, в області фундаментального поглинання можна спостерігати три види оптичних переходів електрона; від хвоста валентної зони до зони провідності, від валентної зони до зони провідності та від валентної зони до хвоста зони провідності. Для всіх цих електронних переходів аналітичні вирази спектрів часткового поглинання отримані з двох різних типів формули Кубо-Грінвуда. Ширину забороненої зони оптичної рухливості та коефіцієнт пропорційності визначали в аналітичній формі спектра міжзонного поглинання шляхом їх підгонки до експериментального спектру міжзонного поглинання. Представлено новий метод розрахунку щільності розподілу електронних станів у зоні провідності аморфного вуглецю на основі експериментального спектра міжзонного поглинання та аналітичного виразу формули Кубо-Грінвуда, записаної для спектра міжзонного поглинання.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

S. Zainobidinov, R.G. Ikramov, M.A. Nuritdinova, and R.M. Zhalalov, “Dependence of the Urbach energy on the Fermi level in a-Si:H films,” Ukr. J. Phys. 53(12), 1177-1180 (2008). http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/53/12/531207p.pdf

Z. Li, S.H. Lin, G.M. Qiu, J.Y. Wang, and Y.P. Yu, “A method for determining band parameters from the optical absorption edge of amorphous semiconductor: Application to a-Si:H,” Journal of applied physics 124, 025702 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5025920

R.G. Ikramov, M.A. Nuriddinova, and Kh.A. Muminov, “Calculation of the density of electronic states in the valence band from the experimental spectrum of interband absorption of amorphous semiconductors,” Journal of Applied Spectroscopy, 88(3), 378 382 (2021). https://doi.org/10.1007/s10812-021-01200-9

R.G. Ikramov, A.A. Mamaxanov, M.A. Nuriddinova, R.M. Jalolov, Kh.M. Muminov, and B.Q. Sultonov, “Calculation of the interband absorption spectra of amorphous semiconductors using the Kubo-Greenwood formula,” Journal of Applied Science and Engineering, 25(5), 767-772 (2022). https://doi.org/10.6180/jase.202210

R.G. Ikramov, M.A. Nuriddinova, and Kh.A. Muminov, “A new method for determining the distribution of the density of electronic states in the tail of the valence band of amorphous solid solutions SexS1–x,” Optics and spectroscopy, 129(11), 1382 1386 (2021). https://doi.org/10.21883/OS.2021.1151636.1949-21

M. Brodsky, editor, Amorphous semiconductors, (Mir, Moscow, 1982)

D. Redfield, “Energy-band tails and the optical absorption edge; the case of a-Si:H,” Solid State Communications, 44, 1347 1349 (2014). https://doi.org/10.1016/0038-1098(82)90890-0

S. Zainobinov, R.G. Ikpamov, R.M. Zhalalov, and M.A.Nuritdinova, “Distribution of electron density of states in allowed bands and interband absorption in amorphous semiconductors,” Optics and Spectroscopy, 110(5). 762-766 (2011). https://doi.org/10.1134/S0030400X11030271

A.A. Pronkin, and A.V. Konstantinovsky, “Absorption and optical gap width of α-C films obtained by magnetron sputtering,” High Temp. 53(2), 312-314 (2015). https://doi.org/10.1134/S0018151X15020212

N. Bronshtein, and K.A. Semendyaev, Handbook of Mathematics for Engineers and Technical University Students, (Moscow, 1986). (in Russian)

Опубліковано
2023-12-02
Цитовано
Як цитувати
Ікрамов, Р. Г., Мумінов, Х. А., Нурітдінова, М. А., Султонов, Б. К., & ХолмірзаєвО. T. (2023). Розрахунок щільності розподілу електронних станів у зоні провідності з фундаментальних спектрів поглинання аморфних напівпровідників. Східно-європейський фізичний журнал, (4), 153-158. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-16

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)