Синтез і характеристика фотоелектричного пристрою на основі перовскитного метіламмонійного броміду свинцю
Анотація
Гібридні електронні пристрої дають прийнятний підхід до можливих джерел живлення та інших подальших застосувань завдяки простоті розташування, підготовки, виробництва, легкості використання матеріалів та меншому впливу на навколишнє середовище. У цій роботі було розглянуто електричні властивості гібридних бромідних наночастинок перовскіта, а також обговорювався шлях розвитку перовскітних фотоелектричних пристроїв. Для виготовлення пристроїв, що обробляються низькотемпературним розчином, ключову роль у виробництві однорідних тонких плівок відіграє використання одноетапних методів спінового покриття. Технологія спінового покриття була використана для нанесення розчину попередника, включаючи бромід метиламмонію (MABr) та бромід свинцю (PbBr2) з молярним співвідношенням (3:1) для нанесення тонких плівок на FTO-підложку. Одноетапний процес розчину був використаний для нанесення шарів поглинача CH3NH3PbBr3 та відобразив загальне уявлення щодо складу матеріалу, техніки нанесення та архітектури пристрою, вибір шару транспортування заряду та електрода.
Завантаження
Посилання
I. Mesquita, L. Andrade, and A. Mendes, Renewable and Sustainable Energy Reviews, 82, 2471 (2018), https://doi.org/10.1016/j.rser.2017.09.011
Y. Dkhissi, F. Huang, S. Rubanov, M. Xiao, U. Bach, L. Spiccia, and Y. B. Cheng, J. Power Sources, 278, 325 (2015), https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2014.12.104
N. Adhikari, D. Khatiwada, A. Dubey, and Q. Qiao, J. Photonics for Energy, 5, 057207 (2015), https://doi.org/10.1117/1.JPE.5.057207
H. Tang, S. He, and C. Peng, Nanoscale research letters, 12, 410 (2017), https://doi.org/10.1186/s11671-017-2187-5
P. Docampo, J.M. Ball, M. Darwich, G.E. Eperon, and H.J. Snaith, Nature communications, 4, 2761 (2013), https://doi.org/10.1038/ncomms3761
S. Masi, S. Colella, A. Listorti, V. Roiati, A. Liscio, V. Palermo, and G. Gigli, Scientific reports, 5, 7725 (2015), https://doi.org/10.1038/srep07725
A. Kojima, K. Teshima, Y. Shirai, and T. Miyasaka, J. American Chemical Society, 131, 6050 (2009), https://doi.org/10.1021/ja809598r
M.M. Lee, J. Teuscher, T. Miyasaka, T.N. Murakami, and H.J. Snaith, Science, 338, 643 (2012), https://doi.org/10.1126/science.1228604
C. Liu, M. Hu, X. Zhou, J. Wu, L. Zhang, W. Kong, and C. Cheng, NPG Asia Materials, 10, 552 (2018), https://doi.org/10.1038/s41427-018-0055-0
P. Nandi, C. Giri, B. Joseph, S. Rath, U. Manju, and D. Topwal, J. Phys. Chem. A, 120, 9732 (2016), https://doi.org/10.1021/acs.jpca.6b09718
L. Lang, J.H. Yang, H.R. Liu, H.J. Xiang, and X.G. Gong, Physics Letters A, 378, 290 (2014), https://doi.org/10.1016/j.physleta.2013.11.018
Y. Ye, X. Run, X. H. Tao, H. Feng, X. Fei, and W. L. Jun, Chin. Phys. B, 24, 116302 (2015), https://doi.org/10.1088/1674-1056/24/11/116302
T. Qiu, Y. Hu, F. Bai, X. Miao, and S. Zhang, J. Materials Chemistry A, 6, 12370 (2018), https://doi.org/10.1039/C8TA00948A
J. You, Z. Hong, Y. Yang, Q. Chen, M. Cai, T. B. Song, and Y. Yang, ACS nano, 8, 1674 (2014), https://doi.org/10.1021/nn406020d
C. Manspeaker, S. Venkatesan, A. Zakhidov, and K. S. Martirosyan, Current opinion in chemical engineering, 15, 1 (2017), http://dx.doi.org/10.1016%2Fj.coche.2016.08.013
Y. Ling, Y. Tian, X. Wang, J. C. Wang, J. M. Knox, F. Perez‐Orive, and H. Gao, Advanced Materials, 28, 8983 (2016), https://doi.org/10.1002/adma.201602513
M. Zhang, M. Lyu, H. Yu, J. H. Yun, Q. Wang, and L. Wang, Chemistry–A European Journal, 21, 434 (2015), https://doi.org/10.1002/chem.201404427
S. Yang, W. Fu, Z. Zhang, H. Chen, and C.Z. Li, J. Materials Chemistry A, 5, 11462 (2017), https://doi.org/10.1039/C7TA00366H
J. Chaudhary, S. Choudhary, C.M.S. Negi, S.K. Gupta, and A.S. Verma, Physica Scripta, 94, 105821 (2019), https://orcid.org/0000-0001-8223-7658
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).