Рентгено-структурні дослідження n-Si, опроміненого протонами
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-21Ключові слова:
кремній, платина, дифузія, допінг, опромінення, протон, рентгенівська дифракціяАнотація
У даній роботі досліджено вплив протонного опромінення на зміну структури зразків кремнію, легованого платиною. Зразки опромінювали протонами в дозі 9×1014 см-2 з енергією 600 кеВ і силою струму 1÷1,5 мкА. Для визначення зміни структури після опромінення використовували методи рентгенівської дифракції та атомно-силової мікроскопії. Отримані результати свідчать про те, що легування платиною не призводить до модифікації кубічної кристалічної структури кремнію, а лише до незначних змін структурних характеристик і морфології поверхні. У цьому випадку протонне опромінення монокристала кремнію дозою 9,0×1014 см–2 з енергією 600 кеВ призводить до утворення дефектів без утворення аморфного приповерхневого шару.
Посилання
N.M. Bogatov, L.R. Grigorian, A.I. Kovalenko, et al. Influence of Radiation Defects Induced by Low-Energy Protons at a Temperature of 83 K on the Characteristics of Silicon Photoelectric Structures. Semiconductors, 54, 196 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063782620020062
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh.Daliev, K.M. Fayzullaev , D.A. Rakhmanov, and J.Sh. Zarifbayev. , “New materials, compounds and applications,” 7(1), 37-43 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V7N1/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, I.G. Genov, Z. Slavkova, and M.N. Ilyina, Advanced Physical research, 5(1), 5 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Utamuradova_et_al.pdf
V.V. Kozlovsky, V.A. Kozlov, and V.N. Lomasov, FTP, 34(2), 129 (2000). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/37060
B.I. Boltaks, Diffusion in semiconductors, (State publishing house of physical and mathematical literature, Moscow, 1971).
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, and K.M. Fayzullaev, “New materials, compounds and applications,” 6(3), 214 (2022). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V6N3/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova, A.M. Abdugofurov, K.M. Fayzullaev, E.M. Naurzalieva, and D.A. Rakhmanov, Applied Physics, 4, 90 (2021). https://applphys.orion-ir.ru/appl-21/21-4/PF-21-4-81.pdf (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, and D.A. Rakhmanov, Annals of University of Craiova, Physics, 32, 132 (2022). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2022_32/15_PAUC_2022_132_136.pdf
Y.S. Katharria, S. Kumar, F. Singh, J.C. Pivin, and D. Kanjilal, J. Phys. D: Appl. Phys. 39, 3969 (2006). https://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/39/18/007
https://www.xtal.iqfr.csic.es/Cristalografia/parte_05-en.html
S.A. Speakman, Fundamentals of Rietveld Refinement.
I.S. Smirnovn, I.G. Dyachkovan, E.G. Novoselova, Modern Electronic Materials, 2, 29 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.moem.2016.08.005
O.V. Skaliaukh, “Defect formation in silicon upon irradiation with alpha particles with an energy of 5.4 MeV”, Ph.D. Thesis, Ulyanovsk, 2005.
V.A. Zinoviev, “Processes on the silicon surface under low-energy ion exposure under conditions of molecular-beam epitaxy,” Thesis, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Institute of Semiconductor Physics. Novosibirsk, 2004.
S.M. Osadchii, A.A. Petukhov, and V.B. Dunin, J. Surf. Investig. 13, 690 (2019). https://doi.org/10.1134/S1027451019040311
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
