Спектральні властивості М-n+CdS-nCdSxTe1-x-pZnxCd1-xTe-Mo-структури для інжекційоного фотоприймача
Анотація
На основі з’єднань A2B6 створена плівкова Іn-n+(CdS)-n(CdSxTe1-x)-p(ZnxCd1-xTe)-Mo-структура фоточутлива в діапазоні довжин хвиль λ = 0,49-0,855 напівтемних при кімнатних температурах. Новизною в пристрої є наявність твердих розчинів з’єднань A2B6, що дозволяє розширити діапазон спектральної чутливості. При пропускному напрямку струму (коли позитивний потенціал “+V” прикладений до Мо-контакту) структура поводиться як фотоприймач із інверсією знака фотоструму I(λ) здатного без перешкод ефективно реєструвати довжини хвиль видимої області спектра. При зворотних напрямках фотоструму структура працює в режимі внутрішнього посилення первинного фотоструму і являє собою основу для створення инжекционного фотоприймача з високою спектральною фоточутливістю у видимій області спектра. Виявлено механізми посилення й інверсії фотоструму.
Завантаження
Посилання
Пароль Н.В., Кайдалов С.А. Фоточувствительные приборы и их применение. – М.: Радио и связь, 1991. – 112 с.
Поликристаллические полупроводники/Под ред. Г. Харбеке. – М.: Мир, 1989. – 341 с.
Музаффарова С.А., Айтбаев Б.У., Мирсагатов Ш.А., Дуршимбетов К., Жанабергенов Ж. Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n+-CdS/p-CdTe//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 12. – С. 1409-1414.
Zanio K. Semiconductors and Semimetals. N 13. – N.Y.: Acad. Press, 1978. – 210 p.
Викулин И.М., Курмашев Ш.Д., Стафеев В.И. Инжекционные фотоприемники//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 1. – С. 113-127.
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1980. – 296 с.
Стафеев В.И. Фотоприемники ИК диапазона на основе CdxHg1-xTe, на примесных полупроводниках (Ge и Si) и УФ диапазона на основе соединений А3В5 35 лет работы в НИИ прикладной физики (1970-2005). – М.: ФГУП НПО “Орион”, 2008. – 103 с.
Карагеоргий-Алкалаев П., Лейдерман А. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями/Под.ред. Саидов М.С. – Ташкент: издательство “Фан” Узбекской ССР, 1981. – 200 с.
Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Сов. Радио, 1978. – 320 с.
Мирсагатов Ш.А., Айтбаев Б., Рубинов В.М. Фотоприемники с управляемым спектром фоточувствительности//ФТП. – 1996. – Т. 30, Вып. 3. – С. 550-557.
Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. – М.: Сов. Pадио, 1970. – С. 167-170. (Ambroziak A. Konstrukcja i technologia przyrzadow fotoelektrycznych. Warszawa, 1967).
