Spectral properties of М-n+CdS-nCdSxTe1-x-pZnxCd1-xTe-Mo-structure for injection photoreceiver
Abstract
Photosensitive film structure of A2B6 compounds In-n+(CdS)-n(CdSxTe1-x)-p(ZnxCd1-xTe)-Mois created for wave range λ = 0,49-0,855 јm and for work at room temperatures. Novelty of the de-vice is presence of solid solutions A2B6, that allows to expand its spectral sensitivity range. The structure behaves as the photoreceivers with inversion of mark of photocurrent I(λ) if positive potential “+V” is enclosed to Мо- to contact. The inversion structure capable effectively to register without handicapes different waves of the visible spectral range. The structure increases a primary photocurrent at reverse bias, when potential “−V” is applied to Mo- contact. In this case the structure is a basis for creation of injection photoreceiver, which has high spectral photosensitivity in the visible spectral range.
Downloads
References
Пароль Н.В., Кайдалов С.А. Фоточувствительные приборы и их применение. – М.: Радио и связь, 1991. – 112 с.
Поликристаллические полупроводники/Под ред. Г. Харбеке. – М.: Мир, 1989. – 341 с.
Музаффарова С.А., Айтбаев Б.У., Мирсагатов Ш.А., Дуршимбетов К., Жанабергенов Ж. Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n+-CdS/p-CdTe//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 12. – С. 1409-1414.
Zanio K. Semiconductors and Semimetals. N 13. – N.Y.: Acad. Press, 1978. – 210 p.
Викулин И.М., Курмашев Ш.Д., Стафеев В.И. Инжекционные фотоприемники//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 1. – С. 113-127.
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1980. – 296 с.
Стафеев В.И. Фотоприемники ИК диапазона на основе CdxHg1-xTe, на примесных полупроводниках (Ge и Si) и УФ диапазона на основе соединений А3В5 35 лет работы в НИИ прикладной физики (1970-2005). – М.: ФГУП НПО “Орион”, 2008. – 103 с.
Карагеоргий-Алкалаев П., Лейдерман А. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями/Под.ред. Саидов М.С. – Ташкент: издательство “Фан” Узбекской ССР, 1981. – 200 с.
Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Сов. Радио, 1978. – 320 с.
Мирсагатов Ш.А., Айтбаев Б., Рубинов В.М. Фотоприемники с управляемым спектром фоточувствительности//ФТП. – 1996. – Т. 30, Вып. 3. – С. 550-557.
Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. – М.: Сов. Pадио, 1970. – С. 167-170. (Ambroziak A. Konstrukcja i technologia przyrzadow fotoelektrycznych. Warszawa, 1967).
