Електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію
Ключові слова:
міжзернові границі, полікристалічний кремній, повна провідність пасток, рекомбінаційні центри
Анотація
У роботі вивчені геометричні параметри та електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію. Виявлено зміну напрямку температурної залежності провідності міжзернових границь в інтервалі температури ~300 ÷ 900 К. Це пояснюється проявом рекомбінаційних центрів. Запропоновані міркування та отримані результати становлять інтерес при дослідженні полікристалічних і нанокристалічних напівпровідників.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения/Пер. с англ. Под. ред. Харбек Г. − М.: Мир, 1989. − 344 с.
Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. Физика и применения/Пер. с англ. Под ред. Л. Казмерски. − М.: Мир, 1983. − 304 с.
Олимов Л.О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии//Узбекский Физический Журнал. − 2005. − № 3. − С. 231-233.
Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties. ISSN 0503-1265//Ukr. J. Phys. − 2006. − Vol. 51, No. 7. − P. 699-702.
Олимов Л.О. Исследование структуры и электрофизических свойств межзеренных границ поликристаллического кремния//Узбекский Физический Журнал. − 2007. − № 5-6. − С. 361-365.
Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О., Абдураззаков Ф.С. Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и её влияние на перенос носителей заряда//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.1. − С. 72-76
Олимов Л.О. Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристалличе
ских полупроводников//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.2. − С. 173-179.
Abdurakhmanov B.M., Olimov L.O., Saidov M. Electrophysical Properties of Solar Polycrystalline Silicon and Its n+-p-Structures at Elevated Temperatures//Applied Solar Energy ISSN 0003701X. − 2008. − Vol. 44, No. 1. − P. 46-52.
Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. Физика и применения/Пер. с англ. Под ред. Л. Казмерски. − М.: Мир, 1983. − 304 с.
Олимов Л.О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии//Узбекский Физический Журнал. − 2005. − № 3. − С. 231-233.
Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties. ISSN 0503-1265//Ukr. J. Phys. − 2006. − Vol. 51, No. 7. − P. 699-702.
Олимов Л.О. Исследование структуры и электрофизических свойств межзеренных границ поликристаллического кремния//Узбекский Физический Журнал. − 2007. − № 5-6. − С. 361-365.
Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О., Абдураззаков Ф.С. Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и её влияние на перенос носителей заряда//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.1. − С. 72-76
Олимов Л.О. Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристалличе
ских полупроводников//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.2. − С. 173-179.
Abdurakhmanov B.M., Olimov L.O., Saidov M. Electrophysical Properties of Solar Polycrystalline Silicon and Its n+-p-Structures at Elevated Temperatures//Applied Solar Energy ISSN 0003701X. − 2008. − Vol. 44, No. 1. − P. 46-52.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Олимов, Л. О., Муйдинова, М., & Омонбоев, Ф. Л. (2017). Електричні властивості міжзернових границь в об’ємі полікристалічного кремнію. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 212 - 215. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
