Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon
Keywords:
inter grain boundaries, polycrystalline silicon, conductivity, traps, recombination centers
Abstract
In work geometric parameters and the electrical properties of grain boundaries in volume polycrystalline silicon studied. The Found changing the direction of the temperature dependence of the conductivity of grain boundaries in the temperature range ~300 ÷ 900 K. This is explained by the manifestation of recombination centers. The proposed ideas and the results are of interest in the study of polycrystalline and nanocrystalline semiconductors.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения/Пер. с англ. Под. ред. Харбек Г. − М.: Мир, 1989. − 344 с.
Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. Физика и применения/Пер. с англ. Под ред. Л. Казмерски. − М.: Мир, 1983. − 304 с.
Олимов Л.О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии//Узбекский Физический Журнал. − 2005. − № 3. − С. 231-233.
Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties. ISSN 0503-1265//Ukr. J. Phys. − 2006. − Vol. 51, No. 7. − P. 699-702.
Олимов Л.О. Исследование структуры и электрофизических свойств межзеренных границ поликристаллического кремния//Узбекский Физический Журнал. − 2007. − № 5-6. − С. 361-365.
Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О., Абдураззаков Ф.С. Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и её влияние на перенос носителей заряда//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.1. − С. 72-76
Олимов Л.О. Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристалличе
ских полупроводников//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.2. − С. 173-179.
Abdurakhmanov B.M., Olimov L.O., Saidov M. Electrophysical Properties of Solar Polycrystalline Silicon and Its n+-p-Structures at Elevated Temperatures//Applied Solar Energy ISSN 0003701X. − 2008. − Vol. 44, No. 1. − P. 46-52.
Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. Физика и применения/Пер. с англ. Под ред. Л. Казмерски. − М.: Мир, 1983. − 304 с.
Олимов Л.О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии//Узбекский Физический Журнал. − 2005. − № 3. − С. 231-233.
Zaynabidinov S., Aliev R., Olimov L.O. High temperature features of the polycrystalline silicon physical properties. ISSN 0503-1265//Ukr. J. Phys. − 2006. − Vol. 51, No. 7. − P. 699-702.
Олимов Л.О. Исследование структуры и электрофизических свойств межзеренных границ поликристаллического кремния//Узбекский Физический Журнал. − 2007. − № 5-6. − С. 361-365.
Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О., Абдураззаков Ф.С. Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и её влияние на перенос носителей заряда//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.1. − С. 72-76
Олимов Л.О. Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристалличе
ских полупроводников//Физическая инженерия поверхности. − 2010. − T. 8, №.2. − С. 173-179.
Abdurakhmanov B.M., Olimov L.O., Saidov M. Electrophysical Properties of Solar Polycrystalline Silicon and Its n+-p-Structures at Elevated Temperatures//Applied Solar Energy ISSN 0003701X. − 2008. − Vol. 44, No. 1. − P. 46-52.
Published
2017-07-28
How to Cite
Олимов, Л. О., Муйдинова, М., & Омонбоев, Ф. Л. (2017). Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon. Journal of Surface Physics and Engineering, 11(2), 212 - 215. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8774
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
