Дослідження процесів модуляції базової області кремнієвої p+р-n+-структури
Анотація
Проведено дослідження залежності ємності кремнієвих p+р-n+-структур від замикаючої напруги. Експериментально показано, що у двосторонньо-дифузійних структурах вольтємнісні характеристики відповідають кубічному закону за рахунок лінійного розподілу домішок у базовій області, при цьому прирощення ємності від замикаючої напруги мають постійну величину. У дифузійно-епітаксиальних структурах спостерігається різке зниження ємності в інтервалі напруг від 0 до 5 вольтів, що чітко проявляється в залежності динамічної ємності від замикаючої напруги. Залежності, які спостерігаються поясненюються рівномірною модуляцією базової області у двосторонньо-дифузійній структурі та сильній модуляції бази в дифузійно-епітаксиальній структурі за рахунок утворення p+р0-n+- і p+р-і-n+-структур у технологічних процесах одержання р-n-переходу.
Завантаження
Посилання
Лебедев И.В., Поляков М.Ю. Частотные свойства ступенчатых варакторных структур//Радиотехника и электроника. − 2001. − Т. 46, № 4. − С. 498-503.
Степанов Б. Особенности применения варикапов. http://www.radioradar.net/hand_book/ documentation/varikap.html
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Часть 1. − М.: Мир. − С. 123-125.
Соловьев В.А., Головяшкин А.Н. Варикап на основе сверхрезкого-перехода//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. − 2001. − № 1. − С. 28-30.
Башмаков А.В., Овчаров В.В. Моделирование процесса удаления примесей из полупроводниковых пластин в неоднородном температурном поле//Письма в ЖТФ. – 2004. − Т. 30, Вып. 5. − С. 54-59.
Патент РУз №IAP03930. Устройство для получения диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5// Официальный бюллетень. – 2009. − № 5.
Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы/ Пер. с англ. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 280 с.
