Research of modulation base region processes in p+p-n+-silicon structure
Abstract
The research of depends of p+р-n+-silicon structures volume on locked voltage. Experimentally shown that in two-way-diffusion structures volt-ampere characteristics accept to cubic law by linear distribution of impurities in the base. The increments of capacity from locked voltage are constant. In the diffusionepitaxial structures a sharp decline in the capacity range of voltages from 0 to 5 volts, which is clearly manifested in the dependence of the dynamic capacity of the locked voltage. The observed depends are explained by the uniform modulation of the base region in a two-sided-diffusion structure and strong modulation of the base in the diffusion-epitaxial structure by forming p+p0-n+- and p+p0-i-n+structures in technological processes of p-n-junction.
Downloads
References
Лебедев И.В., Поляков М.Ю. Частотные свойства ступенчатых варакторных структур//Радиотехника и электроника. − 2001. − Т. 46, № 4. − С. 498-503.
Степанов Б. Особенности применения варикапов. http://www.radioradar.net/hand_book/ documentation/varikap.html
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Часть 1. − М.: Мир. − С. 123-125.
Соловьев В.А., Головяшкин А.Н. Варикап на основе сверхрезкого-перехода//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. − 2001. − № 1. − С. 28-30.
Башмаков А.В., Овчаров В.В. Моделирование процесса удаления примесей из полупроводниковых пластин в неоднородном температурном поле//Письма в ЖТФ. – 2004. − Т. 30, Вып. 5. − С. 54-59.
Патент РУз №IAP03930. Устройство для получения диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5// Официальный бюллетень. – 2009. − № 5.
Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы/ Пер. с англ. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 280 с.
