Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію
Ключові слова:
поруватий кремній, модифікація поверхні, наноструктурування
Анотація
Показана можливість створення багатошарових покрить шляхом модифікування методики електролітичного травлення поверхні монокристалічного кремнію. При травленні використовували добавки HСl і HBr. Методами електронної мікроскопії, рентгенофазового аналізу встановлено, що варіювання складом електроліту і густиною струму приводить до наноструктурування поверхні кремнію в виді шарів різної товщини (200 – 400 нм), морфології і поруватого кремнію.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon//Bell Syst. Techn. Jour. – 1956. – Vol. 35. – P. 333-347
Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions//J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5. – P. 402-405.
Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films//J. Electrochem. Soc. – 1977. – Vol. 124. – P. 285-295.
Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами//Соровский образовательный журнал. – 2004. – Т. 8, № 1. – С. 101-107.
Ельцов К.Н. Применение поверхностных химических реакций в нанотехнологии//Весник российской академии наук. – 1997. – Т. 67, № 11. – С. 985 - 990.
Захарченко К.В., Караванский В.А., Котковский Г.Е., Кузнецов М.Б., Чистяков А.А. Эффект резонансного безизлучательного переноса возбуждения в пористом кремнии на молекулы I2, сорбированные в порах//Письма в ЖЭТФ. – 2001. – Т. 73, №. 10. – С. 578-582.
Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Давлеткильдеев Н.А., Кривозубов О.В., Пономарева И.В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния//Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 100-103.
Никитина Е.А., Фофанов А.Д. Эволюция дифракционных картин пористого кремния// Электронный научный журнал “Исследовано в России”. – 2006. – http://zhurnal.ape.relarn.ru/ articles/2006/057.pdf . – С. 578-584.
Зубко Є.І. Вплив фотоанодування на морфологію та електрофізичні властивості шарів поруватого кремнію, модифікованих HCl і HBr//Металургія: Збірник наукових праць. – 2012. – № 26. – С. 117-121.
Зубко Є.І., Дикий К.Л. Вплив дефектоутворення поверхні монокристалічного кремнію на склад продуктів електрохімічного анодування//Металургія: Збірник наукових праць. – 2011. – № 23. – С. 128-135.
Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions//Surf. Sc. – 1966. – Vol. 4. – P. 109-124.
Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions// J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127. – P. 476-483.
Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et. al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films//J. of Lumin. – 1999. – Vol. 80. – P. 193-198.
Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon//J. Appl. Crystallogr. – 2000. – Vol. 33, pt. 3. – P. 504-506.
Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1999. – Vol. 536. – P. 481-486.
Metzger T.H., Binder M., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon//In “Properties of porous silicon”, edited by Canham L. – Malvern: DERA. – 1997. – P. 112-117.
Metzger H., Franz H., Binder M. et. al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit//J. of Lumin. – 1993. – Vol. 57. – P. 201-204.
Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions//J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5. – P. 402-405.
Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films//J. Electrochem. Soc. – 1977. – Vol. 124. – P. 285-295.
Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами//Соровский образовательный журнал. – 2004. – Т. 8, № 1. – С. 101-107.
Ельцов К.Н. Применение поверхностных химических реакций в нанотехнологии//Весник российской академии наук. – 1997. – Т. 67, № 11. – С. 985 - 990.
Захарченко К.В., Караванский В.А., Котковский Г.Е., Кузнецов М.Б., Чистяков А.А. Эффект резонансного безизлучательного переноса возбуждения в пористом кремнии на молекулы I2, сорбированные в порах//Письма в ЖЭТФ. – 2001. – Т. 73, №. 10. – С. 578-582.
Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Давлеткильдеев Н.А., Кривозубов О.В., Пономарева И.В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния//Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 100-103.
Никитина Е.А., Фофанов А.Д. Эволюция дифракционных картин пористого кремния// Электронный научный журнал “Исследовано в России”. – 2006. – http://zhurnal.ape.relarn.ru/ articles/2006/057.pdf . – С. 578-584.
Зубко Є.І. Вплив фотоанодування на морфологію та електрофізичні властивості шарів поруватого кремнію, модифікованих HCl і HBr//Металургія: Збірник наукових праць. – 2012. – № 26. – С. 117-121.
Зубко Є.І., Дикий К.Л. Вплив дефектоутворення поверхні монокристалічного кремнію на склад продуктів електрохімічного анодування//Металургія: Збірник наукових праць. – 2011. – № 23. – С. 128-135.
Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions//Surf. Sc. – 1966. – Vol. 4. – P. 109-124.
Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions// J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127. – P. 476-483.
Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et. al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films//J. of Lumin. – 1999. – Vol. 80. – P. 193-198.
Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon//J. Appl. Crystallogr. – 2000. – Vol. 33, pt. 3. – P. 504-506.
Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1999. – Vol. 536. – P. 481-486.
Metzger T.H., Binder M., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon//In “Properties of porous silicon”, edited by Canham L. – Malvern: DERA. – 1997. – P. 112-117.
Metzger H., Franz H., Binder M. et. al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit//J. of Lumin. – 1993. – Vol. 57. – P. 201-204.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Зубко, Є. І. (2017). Функціоналізація і наноструктурування поверхневих шарів поруватого кремнію. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 154 - 159. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8767
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
