Functionalization and nanostructurization porous silicon surface layers
Keywords:
porous silicon, surface modification, nanostructuring
Abstract
The possibility of creating multilayer coatings by modifying the method of electrolytic etching of single crystal silicon. Additives used in etching and HCl HBr. By electron microscopy, X-ray diffraction analysis showed that the variation in the composition of the electrolyte and the current density results in a nanostructured surface of silicon in the form of layers of different thickness (200 – 400 nm), morphology and porosity.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon//Bell Syst. Techn. Jour. – 1956. – Vol. 35. – P. 333-347
Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions//J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5. – P. 402-405.
Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films//J. Electrochem. Soc. – 1977. – Vol. 124. – P. 285-295.
Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами//Соровский образовательный журнал. – 2004. – Т. 8, № 1. – С. 101-107.
Ельцов К.Н. Применение поверхностных химических реакций в нанотехнологии//Весник российской академии наук. – 1997. – Т. 67, № 11. – С. 985 - 990.
Захарченко К.В., Караванский В.А., Котковский Г.Е., Кузнецов М.Б., Чистяков А.А. Эффект резонансного безизлучательного переноса возбуждения в пористом кремнии на молекулы I2, сорбированные в порах//Письма в ЖЭТФ. – 2001. – Т. 73, №. 10. – С. 578-582.
Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Давлеткильдеев Н.А., Кривозубов О.В., Пономарева И.В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния//Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 100-103.
Никитина Е.А., Фофанов А.Д. Эволюция дифракционных картин пористого кремния// Электронный научный журнал “Исследовано в России”. – 2006. – http://zhurnal.ape.relarn.ru/ articles/2006/057.pdf . – С. 578-584.
Зубко Є.І. Вплив фотоанодування на морфологію та електрофізичні властивості шарів поруватого кремнію, модифікованих HCl і HBr//Металургія: Збірник наукових праць. – 2012. – № 26. – С. 117-121.
Зубко Є.І., Дикий К.Л. Вплив дефектоутворення поверхні монокристалічного кремнію на склад продуктів електрохімічного анодування//Металургія: Збірник наукових праць. – 2011. – № 23. – С. 128-135.
Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions//Surf. Sc. – 1966. – Vol. 4. – P. 109-124.
Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions// J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127. – P. 476-483.
Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et. al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films//J. of Lumin. – 1999. – Vol. 80. – P. 193-198.
Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon//J. Appl. Crystallogr. – 2000. – Vol. 33, pt. 3. – P. 504-506.
Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1999. – Vol. 536. – P. 481-486.
Metzger T.H., Binder M., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon//In “Properties of porous silicon”, edited by Canham L. – Malvern: DERA. – 1997. – P. 112-117.
Metzger H., Franz H., Binder M. et. al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit//J. of Lumin. – 1993. – Vol. 57. – P. 201-204.
Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions//J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5. – P. 402-405.
Arita Y., Sunohara Y. Formations and properties of porous silicon films//J. Electrochem. Soc. – 1977. – Vol. 124. – P. 285-295.
Зимин С.П. Пористый кремний – материал с новыми свойствами//Соровский образовательный журнал. – 2004. – Т. 8, № 1. – С. 101-107.
Ельцов К.Н. Применение поверхностных химических реакций в нанотехнологии//Весник российской академии наук. – 1997. – Т. 67, № 11. – С. 985 - 990.
Захарченко К.В., Караванский В.А., Котковский Г.Е., Кузнецов М.Б., Чистяков А.А. Эффект резонансного безизлучательного переноса возбуждения в пористом кремнии на молекулы I2, сорбированные в порах//Письма в ЖЭТФ. – 2001. – Т. 73, №. 10. – С. 578-582.
Болотов В.В., Стенькин Ю.А., Давлеткильдеев Н.А., Кривозубов О.В., Пономарева И.В. Влияние галогенов на образование и свойства слоев пористого кремния//Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 100-103.
Никитина Е.А., Фофанов А.Д. Эволюция дифракционных картин пористого кремния// Электронный научный журнал “Исследовано в России”. – 2006. – http://zhurnal.ape.relarn.ru/ articles/2006/057.pdf . – С. 578-584.
Зубко Є.І. Вплив фотоанодування на морфологію та електрофізичні властивості шарів поруватого кремнію, модифікованих HCl і HBr//Металургія: Збірник наукових праць. – 2012. – № 26. – С. 117-121.
Зубко Є.І., Дикий К.Л. Вплив дефектоутворення поверхні монокристалічного кремнію на склад продуктів електрохімічного анодування//Металургія: Збірник наукових праць. – 2011. – № 23. – С. 128-135.
Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions//Surf. Sc. – 1966. – Vol. 4. – P. 109-124.
Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions// J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127. – P. 476-483.
Andrianov A.V., Polisski G., Morgan J. et. al. Inelastic light scattering and X-ray diffraction from thik free-standing porous silicon films//J. of Lumin. – 1999. – Vol. 80. – P. 193-198.
Salonen J., Bjorkqvist M., Laine E. Comparison of different methods in microstructural characterization of porous silicon//J. Appl. Crystallogr. – 2000. – Vol. 33, pt. 3. – P. 504-506.
Vita A., Morante J.R., Caussat B. et al. Phase segregation in SIPOS: formation of Si nanocrystals//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1999. – Vol. 536. – P. 481-486.
Metzger T.H., Binder M., Peisl J. Structure and morphology of porous silicon//In “Properties of porous silicon”, edited by Canham L. – Malvern: DERA. – 1997. – P. 112-117.
Metzger H., Franz H., Binder M. et. al. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit//J. of Lumin. – 1993. – Vol. 57. – P. 201-204.
Published
2017-07-28
How to Cite
Зубко, Є. І. (2017). Functionalization and nanostructurization porous silicon surface layers. Journal of Surface Physics and Engineering, 11(2), 154 - 159. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8767
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
