Температурна залежність зворотньої гілки ВАХ Al-p-CdTe-Mo структури
Ключові слова:
вольт-амперна характеристика, рекомбінаційний комплекс, телурид кадмію, фотоелемент
Анотація
Наведено результати досліджень вольт-амперної характеристики структури Al-p-CdTe-Mo з протяжною базою (w = 120 μm) залежно від температури. Доведено, що ця структура має протяжну сублінійну ділянку високого значення на зворотній вольт-амперній характеристиці, яка практично не змінює свою форму в діапазоні температур 173–373 К. Результати пояснюються в межах дифузійного та дрейфового механізмів переносу струму, що враховують можливість обміну вільними носіями всередині рекомбінаційного комплексу.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Durose K., Edwards P. R., Holliday D. P. // J. Cryst. Growth, 1999. — 733 p.
Takahashi T. and Wainabe S. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2000. — Vol. 48.— 950 p.
Wainabe S., Takahashi T., Okada Y., et. al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2002.— Vol. 49. — 210 p.
Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., et. al. // New. Astron. Rev. — 2004. — Vol. 48. — 309 p.
Косяченко Л. А., Склярчук В. М., Мослянчук О. Л. // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т. 32., № 2. — С. 29–37.
Davies L. W. // Proc., IEEE. — 1963. — Vol. 51. — 1637 p.
Фаренбрух А., Бьюб Р. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 278 с.
Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачи лов А. С., Мовлонов А. А. // ФИП. — 2012. — Т. 10, № 1.
Ачилов А. С. Заверюхин Б. Н., Каланов М. У., Рустамова В. М. // ДАН Уз. 2, 2014.
Мирсагатов Ш. А., Ачилов А. С., Заверюхин Б. Н. // ФИП. — 2014. — Т. 12., № 2.
Стафеев В. И. // ФТТ. — 1961. — T. 3. — 2513 c.
Физика и химия полупроводников АIIBVI / Под. ред. С. А. Медведова. — М.: Мир. — 1970. — 624 с.
Георгиу В. Г. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников. — Кишенев: «Штиинца», 1987. — 15 c.
Zanio K. Semiconductors and semimetals. — N. Y.: Acad. Press, 1978. — 210 p.
Лейдерман А. Ю., Минбаева М. К. // ФТП. — 1996. — T. 30. — 1729 c.
Гуляев Ю. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3. — 385 c.
Ржанов А. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3.— 3698 c.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. — М.: Мир, 1973. — 210 с.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. — М.: «ВЫСШАЯ ШКОЛА», 1977. — 418 с.
Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Из. «ФАН» Уз. ССР, 1981. — 200 с.
Абакумов А., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Каримова И. З., Книгин П. И., Лейдерман А. Ю., Луговская З. П., Смирнов А. С. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника / Под. ред. С. А. Азимова. — Ташкент, «ФАН», 1976. — 3 c.
Саидов М.С., Садаев Б., Никитин В.В., Саидов А. С. // ФТП. — 1979. — Т. 13, № 1763.
Морозкин В. В. // ДАН Уз. ССР. — 1979. — № 12. — 31 c.
Shockley W., Read W. // Phys. Rev. — 1952. — Vol. 87. — 835 c.
Karageorgy-Alkalaev P.M., Leiderman A. Yu. // Phys. Status Solidi. — 1968. — A 26. — 419 c.
Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. // В сб: Физика и материаловедение полупроводников / Под. ред. В. И. Фистуля Металлургия. — М, 1987. — 80 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР . — 1987. — T. 7. — 21 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — T. 4. — 25 с.
Шейкман М.Г., Корсунская Н.Е. В кн.: Физика соединений А2В6. — М.: Наука, 1986. — 109 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — Т. 1, № 24.
Мирсагатов Ш. А., Лейдерман А. Ю., Махмудов М. А. // ФТТ. — 2009. — Т. 51, № 10. — 1917 с.
Takahashi T. and Wainabe S. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2000. — Vol. 48.— 950 p.
Wainabe S., Takahashi T., Okada Y., et. al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2002.— Vol. 49. — 210 p.
Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., et. al. // New. Astron. Rev. — 2004. — Vol. 48. — 309 p.
Косяченко Л. А., Склярчук В. М., Мослянчук О. Л. // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т. 32., № 2. — С. 29–37.
Davies L. W. // Proc., IEEE. — 1963. — Vol. 51. — 1637 p.
Фаренбрух А., Бьюб Р. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 278 с.
Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачи лов А. С., Мовлонов А. А. // ФИП. — 2012. — Т. 10, № 1.
Ачилов А. С. Заверюхин Б. Н., Каланов М. У., Рустамова В. М. // ДАН Уз. 2, 2014.
Мирсагатов Ш. А., Ачилов А. С., Заверюхин Б. Н. // ФИП. — 2014. — Т. 12., № 2.
Стафеев В. И. // ФТТ. — 1961. — T. 3. — 2513 c.
Физика и химия полупроводников АIIBVI / Под. ред. С. А. Медведова. — М.: Мир. — 1970. — 624 с.
Георгиу В. Г. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников. — Кишенев: «Штиинца», 1987. — 15 c.
Zanio K. Semiconductors and semimetals. — N. Y.: Acad. Press, 1978. — 210 p.
Лейдерман А. Ю., Минбаева М. К. // ФТП. — 1996. — T. 30. — 1729 c.
Гуляев Ю. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3. — 385 c.
Ржанов А. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3.— 3698 c.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. — М.: Мир, 1973. — 210 с.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. — М.: «ВЫСШАЯ ШКОЛА», 1977. — 418 с.
Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Из. «ФАН» Уз. ССР, 1981. — 200 с.
Абакумов А., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Каримова И. З., Книгин П. И., Лейдерман А. Ю., Луговская З. П., Смирнов А. С. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника / Под. ред. С. А. Азимова. — Ташкент, «ФАН», 1976. — 3 c.
Саидов М.С., Садаев Б., Никитин В.В., Саидов А. С. // ФТП. — 1979. — Т. 13, № 1763.
Морозкин В. В. // ДАН Уз. ССР. — 1979. — № 12. — 31 c.
Shockley W., Read W. // Phys. Rev. — 1952. — Vol. 87. — 835 c.
Karageorgy-Alkalaev P.M., Leiderman A. Yu. // Phys. Status Solidi. — 1968. — A 26. — 419 c.
Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. // В сб: Физика и материаловедение полупроводников / Под. ред. В. И. Фистуля Металлургия. — М, 1987. — 80 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР . — 1987. — T. 7. — 21 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — T. 4. — 25 с.
Шейкман М.Г., Корсунская Н.Е. В кн.: Физика соединений А2В6. — М.: Наука, 1986. — 109 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — Т. 1, № 24.
Мирсагатов Ш. А., Лейдерман А. Ю., Махмудов М. А. // ФТТ. — 2009. — Т. 51, № 10. — 1917 с.
Опубліковано
2017-02-24
Як цитувати
Ачилов, А. С., & Мирсагатов, Ш. А. (2017). Температурна залежність зворотньої гілки ВАХ Al-p-CdTe-Mo структури. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 289 - 312. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8008
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
