Тhe temperature dependence of the reverse branch of the CVC Al-p-CdTe-Mo structure
Keywords:
current-voltage characteristic, the recombination complex, cadmium telluride, solar cell
Abstract
The results of investigations voltage characteristic structure of Al-p-CdTe-Mo with an extended base (w = 120 μm), depending on the temperature. It is shown that such a structure has an extended sublinear portion of high value on the reverse current-voltage characteristic, which is almost does not change its shape at temperatures of 173–373 K. The results are explained in terms of the diffusion and drift mechanisms of current transport takes into account the possibility of exchanging free carrier recombination inside the complex.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Durose K., Edwards P. R., Holliday D. P. // J. Cryst. Growth, 1999. — 733 p.
Takahashi T. and Wainabe S. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2000. — Vol. 48.— 950 p.
Wainabe S., Takahashi T., Okada Y., et. al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2002.— Vol. 49. — 210 p.
Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., et. al. // New. Astron. Rev. — 2004. — Vol. 48. — 309 p.
Косяченко Л. А., Склярчук В. М., Мослянчук О. Л. // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т. 32., № 2. — С. 29–37.
Davies L. W. // Proc., IEEE. — 1963. — Vol. 51. — 1637 p.
Фаренбрух А., Бьюб Р. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 278 с.
Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачи лов А. С., Мовлонов А. А. // ФИП. — 2012. — Т. 10, № 1.
Ачилов А. С. Заверюхин Б. Н., Каланов М. У., Рустамова В. М. // ДАН Уз. 2, 2014.
Мирсагатов Ш. А., Ачилов А. С., Заверюхин Б. Н. // ФИП. — 2014. — Т. 12., № 2.
Стафеев В. И. // ФТТ. — 1961. — T. 3. — 2513 c.
Физика и химия полупроводников АIIBVI / Под. ред. С. А. Медведова. — М.: Мир. — 1970. — 624 с.
Георгиу В. Г. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников. — Кишенев: «Штиинца», 1987. — 15 c.
Zanio K. Semiconductors and semimetals. — N. Y.: Acad. Press, 1978. — 210 p.
Лейдерман А. Ю., Минбаева М. К. // ФТП. — 1996. — T. 30. — 1729 c.
Гуляев Ю. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3. — 385 c.
Ржанов А. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3.— 3698 c.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. — М.: Мир, 1973. — 210 с.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. — М.: «ВЫСШАЯ ШКОЛА», 1977. — 418 с.
Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Из. «ФАН» Уз. ССР, 1981. — 200 с.
Абакумов А., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Каримова И. З., Книгин П. И., Лейдерман А. Ю., Луговская З. П., Смирнов А. С. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника / Под. ред. С. А. Азимова. — Ташкент, «ФАН», 1976. — 3 c.
Саидов М.С., Садаев Б., Никитин В.В., Саидов А. С. // ФТП. — 1979. — Т. 13, № 1763.
Морозкин В. В. // ДАН Уз. ССР. — 1979. — № 12. — 31 c.
Shockley W., Read W. // Phys. Rev. — 1952. — Vol. 87. — 835 c.
Karageorgy-Alkalaev P.M., Leiderman A. Yu. // Phys. Status Solidi. — 1968. — A 26. — 419 c.
Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. // В сб: Физика и материаловедение полупроводников / Под. ред. В. И. Фистуля Металлургия. — М, 1987. — 80 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР . — 1987. — T. 7. — 21 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — T. 4. — 25 с.
Шейкман М.Г., Корсунская Н.Е. В кн.: Физика соединений А2В6. — М.: Наука, 1986. — 109 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — Т. 1, № 24.
Мирсагатов Ш. А., Лейдерман А. Ю., Махмудов М. А. // ФТТ. — 2009. — Т. 51, № 10. — 1917 с.
Takahashi T. and Wainabe S. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2000. — Vol. 48.— 950 p.
Wainabe S., Takahashi T., Okada Y., et. al. // IEEE Trans. Nucl. Sei. — 2002.— Vol. 49. — 210 p.
Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., et. al. // New. Astron. Rev. — 2004. — Vol. 48. — 309 p.
Косяченко Л. А., Склярчук В. М., Мослянчук О. Л. // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т. 32., № 2. — С. 29–37.
Davies L. W. // Proc., IEEE. — 1963. — Vol. 51. — 1637 p.
Фаренбрух А., Бьюб Р. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 278 с.
Мирсагатов Ш. А., Музафарова С. А., Ачи лов А. С., Мовлонов А. А. // ФИП. — 2012. — Т. 10, № 1.
Ачилов А. С. Заверюхин Б. Н., Каланов М. У., Рустамова В. М. // ДАН Уз. 2, 2014.
Мирсагатов Ш. А., Ачилов А. С., Заверюхин Б. Н. // ФИП. — 2014. — Т. 12., № 2.
Стафеев В. И. // ФТТ. — 1961. — T. 3. — 2513 c.
Физика и химия полупроводников АIIBVI / Под. ред. С. А. Медведова. — М.: Мир. — 1970. — 624 с.
Георгиу В. Г. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников. — Кишенев: «Штиинца», 1987. — 15 c.
Zanio K. Semiconductors and semimetals. — N. Y.: Acad. Press, 1978. — 210 p.
Лейдерман А. Ю., Минбаева М. К. // ФТП. — 1996. — T. 30. — 1729 c.
Гуляев Ю. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3. — 385 c.
Ржанов А. В. // ФТТ. — 1961.— T. 3.— 3698 c.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. — М.: Мир, 1973. — 210 с.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков. — М.: «ВЫСШАЯ ШКОЛА», 1977. — 418 с.
Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Из. «ФАН» Уз. ССР, 1981. — 200 с.
Абакумов А., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Каримова И. З., Книгин П. И., Лейдерман А. Ю., Луговская З. П., Смирнов А. С. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника / Под. ред. С. А. Азимова. — Ташкент, «ФАН», 1976. — 3 c.
Саидов М.С., Садаев Б., Никитин В.В., Саидов А. С. // ФТП. — 1979. — Т. 13, № 1763.
Морозкин В. В. // ДАН Уз. ССР. — 1979. — № 12. — 31 c.
Shockley W., Read W. // Phys. Rev. — 1952. — Vol. 87. — 835 c.
Karageorgy-Alkalaev P.M., Leiderman A. Yu. // Phys. Status Solidi. — 1968. — A 26. — 419 c.
Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. Ю. // В сб: Физика и материаловедение полупроводников / Под. ред. В. И. Фистуля Металлургия. — М, 1987. — 80 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР . — 1987. — T. 7. — 21 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — T. 4. — 25 с.
Шейкман М.Г., Корсунская Н.Е. В кн.: Физика соединений А2В6. — М.: Наука, 1986. — 109 с.
Лейдерман А. Ю. // ДАН УзССР. — 1989. — Т. 1, № 24.
Мирсагатов Ш. А., Лейдерман А. Ю., Махмудов М. А. // ФТТ. — 2009. — Т. 51, № 10. — 1917 с.
Published
2017-02-24
How to Cite
Ачилов, А. С., & Мирсагатов, Ш. А. (2017). Тhe temperature dependence of the reverse branch of the CVC Al-p-CdTe-Mo structure. Journal of Surface Physics and Engineering, 13(3), 289 - 312. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8008
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
