Перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці з напівпровідниковими електродами
Анотація
У роботі досліджені перехідні фотоелектричні процеси в надтонкій газорозрядній комірці. Розглянуто питання затримки пробою газового розряду в імпульсному режимі роботи комірки та електростатичні явища перехідних процесів. Встановлено, що час затримки пробою залежить від інтенсивності освітлення напівпровідника, тривалості та величини імпульсу напруги, а також стану поверхневого заряду, тобто напруженості поля поверхневих зарядів.
Завантаження
Посилання
Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // ФИП. – 2006. – Т. 3, № 1-2. – С. 207.
Касымов Ш. С., Хайдаров З., Йулдашев Х. Т. Исследование влияния токового усиления на фотоэлектрографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // ФИП. – 2011. – Т. 9, № 4. – С. 376.
Хайдаров З. // Исследование сверхтонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом из кремния легированного платиной // ФИП. – 2011. – Т. 9, № 4. – С.385.
Хайдаров З., Хайдаров К. З., Йулдашев Х. Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика. – 2017, № 1. – С. 65-69.
Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе «полупроводник – газоразрядный промежуток» // ЖТФ. – 2011. – Т. 81(2). – С. 42-47.
Пугачев В. С. // Теория вероятностей и математическая статистика // М.: Наука, 1968.
Blaszuk P. R. Patent USA. Int.Cl.HOI 17/06. 3.743.881 (July 3, 1973).
Хайдаров З. и др. // Патент России № 1697572, от 8 августа 1991 г.
Сканави С. В. // Физика диэлектриков (Область слабых полей) // М.: Наука, 1979.
