Transition photoelectric processes in a superfluid gas-discharge cell with semiconductor electrodes

  • З. Хайдаров Fergana Polytechnic Institute
  • Х. Т. Йулдашев Fergana Polytechnic Institute
Keywords: gas-discharge cell, photo detector, breakdown delay, surface charge, watt ampere characteristic, kinetics of pulse current, intensity of glow discharge

Abstract

In this paper, transient photoelectric processes in a hyperfine gas-discharge cell were investigated. The issues of delay of the gas discharge breakdown in the pulsed mode of the cell operation and the electrostatic phenomena of the transient processes are considered. It is established that the breakdown delay time depends on the semiconductor illumination intensity, the duration and magnitude of the voltage pulse, and also the state of the surface charge, that is, the field strength of the surface charges.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

З. Хайдаров, Fergana Polytechnic Institute

Scientist

Х. Т. Йулдашев, Fergana Polytechnic Institute

Scientist

References

Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // ФИП. – 2006. – Т. 3, № 1-2. – С. 207.

Касымов Ш. С., Хайдаров З., Йулдашев Х. Т. Исследование влияния токового усиления на фотоэлектрографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // ФИП. – 2011. – Т. 9, № 4. – С. 376.

Хайдаров З. // Исследование сверхтонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом из кремния легированного платиной // ФИП. – 2011. – Т. 9, № 4. – С.385.

Хайдаров З., Хайдаров К. З., Йулдашев Х. Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика. – 2017, № 1. – С. 65-69.

Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе «полупроводник – газоразрядный промежуток» // ЖТФ. – 2011. – Т. 81(2). – С. 42-47.

Пугачев В. С. // Теория вероятностей и математическая статистика // М.: Наука, 1968.

Blaszuk P. R. Patent USA. Int.Cl.HOI 17/06. 3.743.881 (July 3, 1973).

Хайдаров З. и др. // Патент России № 1697572, от 8 августа 1991 г.

Сканави С. В. // Физика диэлектриков (Область слабых полей) // М.: Наука, 1979.

Published
2019-09-18
How to Cite
Хайдаров, З., & Йулдашев, Х. Т. (2019). Transition photoelectric processes in a superfluid gas-discharge cell with semiconductor electrodes. Journal of Surface Physics and Engineering, 3(3), 106 - 113. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/14195