Особливості застосування рентгенівської фотоелектронної спектроскопії для визначення товщини ультратонких плівок
Ключові слова:
рентгенівська фотоелектронна спектроскопія (РФЕС); ультратонкі плівки, вимірювання товщини; нітрид титану
Анотація
У роботі на прикладі вимірювання параметрів ультратонких (3 – 5 нм) TiNx плівок показана можливість використання рентгенівської фотоелектронної спектроскопії для визначення товщини і суцільності плівок нанорозмірної товщини. Плівки TiNx були отримані на кремнії методом слаботочного іонно-променевого розпилення титанової мішені в атмосфері азоту. Показано переваги методу РФЕС в порівнянні з іншими поширеними методами дослідження поверхні твердого тіла, описана методика вимірювання товщини ультратонких плівок.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Dietl T. Nitrides as spintronic materials//Physical Status Solid B. – 2003. – Vol. 240. – P. 433-439.
Chambers S.A., Yoo Y.K. New materials for spintronics// MRS Bulletinю.–2003.–Vol. 28.– P. 706.
Gregg J.F., Petej I., Jouguelet E., Dennis C. Spin electronics – a review//J. Phys. D: Appl. Phys. – 2002. – Vol. 35. – P. 121-125.
Busch Brett W., Pluchery O., Chabal Y.I., Muller D.A., Opila R.L., Kwo J.R., Garfunkel E. Materials characterization of alternative gate dielectrics// Mrs bulletin. – 2002. – P. 206-211.
Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considerations//J. Appl. Phys. – 2001. – Vol. 89, No. 10. – P. 5243-5275.
Стогний А.И., Метод контроля наноразмерной толщины бислойных пленочных наноструктур // Письма в ЖТФ. – 2003. – Т. 29, Вып. 4. – С. 39–45.
Стогний А.И., Новицкий Н.Н., Стукалов О.М. Ионно-лучевое полирование наноразмерного рельефа поверхности оптических материалов//Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28, Вып. 1. – С. 39-48.
Shallenberger J.R. et al. Oxide Thickness Determination by XPS, AES, SIMS, RBS and TEM // Proceedings of International Conference on Ion Implantation Technology. – 1998. – Vol. 1. – P. 79- 82.
Styervoyedov A., Farenik V. Formation of Ti and TiN ultra-thin films on Si by ion beam sputter deposition//Surface Science. – 2006. – Vol. 600. – P. 3766-3769.
Деревянко А., Стервоедов А., Силкин М. Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов//Физическая инженерия поверхности. – 2008. – Т. 6, № 1-2. – С. 114-120.
Mohai M., Bertуti I. Calculation of Overlayer Thickness on Curved Surfaces Based on XPS Intensities//Surf. Interface Analysis. – 2004. – Vol. 36. – P. 805-808.
Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R. Proposed formula for electron inelastic mean free paths based on calculations for 31 materials//Surface science letter. – 1987. – Vol. 192. – P. L849-L857.
Chambers S.A., Yoo Y.K. New materials for spintronics// MRS Bulletinю.–2003.–Vol. 28.– P. 706.
Gregg J.F., Petej I., Jouguelet E., Dennis C. Spin electronics – a review//J. Phys. D: Appl. Phys. – 2002. – Vol. 35. – P. 121-125.
Busch Brett W., Pluchery O., Chabal Y.I., Muller D.A., Opila R.L., Kwo J.R., Garfunkel E. Materials characterization of alternative gate dielectrics// Mrs bulletin. – 2002. – P. 206-211.
Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considerations//J. Appl. Phys. – 2001. – Vol. 89, No. 10. – P. 5243-5275.
Стогний А.И., Метод контроля наноразмерной толщины бислойных пленочных наноструктур // Письма в ЖТФ. – 2003. – Т. 29, Вып. 4. – С. 39–45.
Стогний А.И., Новицкий Н.Н., Стукалов О.М. Ионно-лучевое полирование наноразмерного рельефа поверхности оптических материалов//Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28, Вып. 1. – С. 39-48.
Shallenberger J.R. et al. Oxide Thickness Determination by XPS, AES, SIMS, RBS and TEM // Proceedings of International Conference on Ion Implantation Technology. – 1998. – Vol. 1. – P. 79- 82.
Styervoyedov A., Farenik V. Formation of Ti and TiN ultra-thin films on Si by ion beam sputter deposition//Surface Science. – 2006. – Vol. 600. – P. 3766-3769.
Деревянко А., Стервоедов А., Силкин М. Стабилизация процесса ионно-лучевого осаждения наноразмерных пленок нитридов и оксинитридов металлов//Физическая инженерия поверхности. – 2008. – Т. 6, № 1-2. – С. 114-120.
Mohai M., Bertуti I. Calculation of Overlayer Thickness on Curved Surfaces Based on XPS Intensities//Surf. Interface Analysis. – 2004. – Vol. 36. – P. 805-808.
Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R. Proposed formula for electron inelastic mean free paths based on calculations for 31 materials//Surface science letter. – 1987. – Vol. 192. – P. L849-L857.
Опубліковано
2019-07-26
Як цитувати
Стервоедов, А. Н., Береснев, В. М., & Сергеева, Н. В. (2019). Особливості застосування рентгенівської фотоелектронної спектроскопії для визначення товщини ультратонких плівок. Журнал фізики та інженерії поверхні, 8(1), 88-92. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13455
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
