Теплове розширення щільності станів і температурна залежність ширини забороненої зони Gе
Ключові слова:
щільність станів, теплове розширення енергетичних станів, чисельне моделювання, ширина забороненої зони
Анотація
Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. – М.: Физматиз, 1963. –25 с.
Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1986. – 45 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФТП. – 2011. – № 2. – С. 53-58.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//Физическая Инженерия Поверхности. – 2011. – Т. 9, № 1. – С. 40-43.
Бонч-Бруевич В.Б., и др. Электронная теория некристаллических полупроводников.– М.: Наука, 1981. – 384 с.
Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. – 392 с.
Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. – М.: Мир, 1982. – 664 с.
Mac Farlane G., Mac Lean T., Quarrington J. and Poberts V.//J. Phys. Chem. Solids. – 1959. – Vol. 8. - P. 388.
Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1986. – 45 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФТП. – 2011. – № 2. – С. 53-58.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//Физическая Инженерия Поверхности. – 2011. – Т. 9, № 1. – С. 40-43.
Бонч-Бруевич В.Б., и др. Электронная теория некристаллических полупроводников.– М.: Наука, 1981. – 384 с.
Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. – 392 с.
Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. – М.: Мир, 1982. – 664 с.
Mac Farlane G., Mac Lean T., Quarrington J. and Poberts V.//J. Phys. Chem. Solids. – 1959. – Vol. 8. - P. 388.
Опубліковано
2012-09-27
Як цитувати
Гулямов, Г., Шарибаев, Н. Ю., & Эркабоев, У. И. (2012). Теплове розширення щільності станів і температурна залежність ширини забороненої зони Gе. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 366 - 370. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10139
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
