The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden band Ge

  • Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
  • Н. Ю. Шарибаев Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
  • У. И. Эркабоев Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
Keywords: density of states, thermal broadening of the energy states, numerical simulation, the band gap

Abstract

Modeling of a thermal broadening of the density of states of the semiconductor temperature dependence of the band gap of Ge. The numerical analysis showed that the nonlinear dependence of the band gap Ge at low temperatures due to the presence of energy levels in the forbidden zone near the allowed bands. Results are in good agreement with the experimental data.

 

 

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Г. Гулямов, Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
с.н.с.
Н. Ю. Шарибаев, Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
с.н.с.
У. И. Эркабоев, Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
с.н.с.

References

Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. – М.: Физматиз, 1963. –25 с.

Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1986. – 45 с.

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФТП. – 2011. – № 2. – С. 53-58.

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//Физическая Инженерия Поверхности. – 2011. – Т. 9, № 1. – С. 40-43.

Бонч-Бруевич В.Б., и др. Электронная теория некристаллических полупроводников.– М.: Наука, 1981. – 384 с.

Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. – 392 с.

Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. – М.: Мир, 1982. – 664 с.

Mac Farlane G., Mac Lean T., Quarrington J. and Poberts V.//J. Phys. Chem. Solids. – 1959. – Vol. 8. - P. 388.
Published
2012-09-27
How to Cite
Гулямов, Г., Шарибаев, Н. Ю., & Эркабоев, У. И. (2012). The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden band Ge. Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 366 - 370. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10139