Electrophysical properties of supramolecular ensembles InSe<CH4N2S>, InSe<FeSO4> AND InSe<CH4N2S<FeSO4>>
Abstract
The dependence of electric conductivity properties of supramolecular ensembles InSe<CH4N2S>, InSe<FeSO4> and InSe<CH4N2S<FeSO4>> on the hierarchization degree of guest component was established in the work. It was shown in particularly, the insertion of thiourea into interlayer space of single crystal InSe results in 3 folded decrease in real component of specific complex impedance of intercalate in the work. As it was approved by calculation, the thiourea insertion leads to drastic changes in density of states at Fermi level, jump length and trap centers dispersion. Experimental results of thermodepolarizing current investigation confirmed calculations as well. At the same time Iron (II) Sulfate insertion leads to the negative capacitance effect at lighting, what opens a new view on photoregulated delay lines technologies. But the cointercalation of thiourea and Iron II Sulfate does not lead to above listed effects. Magneto- and photo- sensitivity of obtained intercalates was investigated.
Downloads
References
Йулдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З. Фотопреобразователь ИК-изображений со сверхтонкой газоразрядной ячейкой и люминофором // Прикладная физика. — 2016. — № 2. — С. 94–99.
Йулдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З. Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — C. 268–273.
Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М., Берегулин Е. В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. — Т. 85, № 5. — С. 27–31.
Хайдаров З. Исследование сверхтонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом из кремния, легированного платиной // ФИП. — 2011. — Т. 9, № 4. — C. 385–389.
Сиябеков Х. Б., Туланов В. Т. Фотопроводимость кремния, легированного серой, в спектральном диапазоне 10,6 мкм // ФТП. — 1997. — Т. 31, № 12. — C. 1425–1427.
Горлин Г. Б., Туланов В. Т., Сиябеков Х. Б. Влияние степени компенсации уровней серы на фотопроводимость кремния в спектральной области 10,6 мкм // ЖТФ. — 1997. — Т. 67, № 10. — C. 142–143.
Йулдашев Х. Т., Касымов Ш. С. Исследование характеристик полупроводникового фотопреобразователя ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой // ФИП. — 2015. — № 2. — C. 137–141.
Астров Ю. А., Ахмедова М. М., Лебедева А. А. Мамадолимов А. Т., Парицкий Л. Г., Порцель Л. М., Юсупов П. Полупроводниковая фотографическая система и преобразователь изображений ионизационного типа на основе кремния, компенсированного платиной. — М.: (Деп. в ВИНИТИ.: № 19763 — 76Деп), 1976. — 15 с.
Астров Ю. А., Парицкий Л. Г, Рывкин С. М. Исследование быстродействия полупроводниковых преобразователей изображений ионизационного типа. — М.: (Деп. В ЦНИИ «Электроника».: № Деп — 2472/78), 1978. — 22 с.
