Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі

  • Х. Т. Йулдашев Ферганский политехнический институт
  • Ш. С. Ахмедов Ферганский политехнический институт
  • У. С. Рустамов Ферганский политехнический институт
  • К. М. Эргашев Ферганский политехнический институт
Ключові слова: перетворювач зображень, напівпровідниковий електрод, іонізаційна камера, газорозрядний проміжок, напівізолюючий арсенід галію, фотоприймач, вольтамперна характеристика, фотострум, тривалість імпульсу, імпульсна напруга

Анотація

У статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення.

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Х. Т. Йулдашев, Ферганский политехнический институт
с.н.с.
Ш. С. Ахмедов, Ферганский политехнический институт
с.н.с.
У. С. Рустамов, Ферганский политехнический институт
с.н.с.
К. М. Эргашев, Ферганский политехнический институт
с.н.с.

Посилання

Хайдаров З., Хайдарова К. З., Йулдашев Х. Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика. — 2017. — № 1. — С. 65–69.

Йулдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С. Кинетика пробоя в системе «полупроводник — газоразрядный промежуток» // Вестник СПбГУ. — 2017. — Сер. 4. — Т. 4 (62), вып. 1.

Йулдашев Х. Т., Ш. Ахмедов С., Хайдаров З. Исследование инфракрасной фотографической системы на основе кремния, легированного платиной // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 12–19.

Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М., Берегулин Е. В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. — Т. 85(5). — С. 27–31.

Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе «полупроводник — газоразрядный промежуток» // ЖТФ. — 2011. — Т. 81(2). — С. 42–47.

Лебедева Н. Н., Орбух В. И., Боброва Е. Ю. О формировании низкоомного состояния газа над поверхностью полупроводникового электрода в предпробойном режиме // Azərbaycan mil̇li ̇ elmlər akademiẏ asinin xəbərləri ̇ fizikariyaziyyat və texnika elmləri seriyası, fizika və
astronomiya. — 2005. — № 5. — С. 111–115.

Лодыгин А. Н., Порцель Л. М., Астров Ю. А. Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах // Письма в ЖТФ. — 2008. — Т. 34(14). — С. 61–66.

Sadiq Y., Aktas K., Acar S., Salamov B. G. Influence of the microstructure on the charge transport in semiconductor gas discharge electronic devices // Superlattices and Microstructures. — 2010. — Vol. 47. — Р. 648–660.
Опубліковано
2017-07-19
Як цитувати
Йулдашев, Х. Т., Ахмедов, Ш. С., Рустамов, У. С., & Эргашев, К. М. (2017). Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі. Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), 44 - 48. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8742