Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

Автор(и)

Анотація

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изо­бражения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. 

Біографії авторів

  • автор З. Хайдаров, афіліація Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • автор Х. Т. Юлдашев, афіліація Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • автор Б. З. Хайдаров, афіліація Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • автор С. Урмонов, афіліація Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.

Завантаження

Опубліковано

2015-12-04

Номер

Том 13 № 2 (2015): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом. (2015). Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(2), 136 – 140. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4551

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають