Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts
Keywords:
a semiconductor electrode ionization chamber, discharge gap, semi-insulating gallium arsenide, a photodetector, the current-voltage characteristic, plasma contact
Abstract
The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З. Фотопреобразователь ИК — изображений со сверхтонкой газоразрядной ячейкой и люминофором // Прикладная физика. — 2016. — № 2. — С. 94–99.
Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М., Берегулин Е. В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. — Т. 85(5). — С. 27–31.
Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе полупроводник-газоразрядный промежуток // ЖТФ. — 2011. — Vol. 81(2). — С. 42–47.
Юлдашев Х. Т. Исследование процессов усиления в системе полупровод ник-газоразрядный промежуток. // 8th Inter national conference on Eurasian scientific development. — Вена. — 2016. — С. 178–183.
Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З. Усилительные процессы в узкой ионизационной системе с полупроводниковым электродом // Труды международной конференции. «Современные проблемы физики». — Минск. — 2016. — С. 116–122.
Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С. Исследование характеристики преобразователя изображений в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // ФИП. — 2015. — № 2. — С. 218–225.
Парицкий Л. Г. Особенности фототока в полупроводнике с плазменными контактами (Деп. в ВИНИТИ.: № 4902–82). — М., 1982. — 14 с.
Лодыгин А. Н., Парицкий Л. Г., Хайдаров З. Некоторые особенности фототока в полуизолирующем арсениде галлия с плазменными контактами (Деп. в ВИНИТИ.: № 4903–82). — М., 1982. — 17 с.
Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М., Берегулин Е. В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. — Т. 85(5). — С. 27–31.
Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе полупроводник-газоразрядный промежуток // ЖТФ. — 2011. — Vol. 81(2). — С. 42–47.
Юлдашев Х. Т. Исследование процессов усиления в системе полупровод ник-газоразрядный промежуток. // 8th Inter national conference on Eurasian scientific development. — Вена. — 2016. — С. 178–183.
Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С., Хайдаров З. Усилительные процессы в узкой ионизационной системе с полупроводниковым электродом // Труды международной конференции. «Современные проблемы физики». — Минск. — 2016. — С. 116–122.
Юлдашев Х. Т., Касымов Ш. С. Исследование характеристики преобразователя изображений в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // ФИП. — 2015. — № 2. — С. 218–225.
Парицкий Л. Г. Особенности фототока в полупроводнике с плазменными контактами (Деп. в ВИНИТИ.: № 4902–82). — М., 1982. — 14 с.
Лодыгин А. Н., Парицкий Л. Г., Хайдаров З. Некоторые особенности фототока в полуизолирующем арсениде галлия с плазменными контактами (Деп. в ВИНИТИ.: № 4903–82). — М., 1982. — 17 с.
Published
2017-04-05
How to Cite
Юлдашев, Х. Т., Хайдаров, З., & Касымов, Ш. С. (2017). Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts. Journal of Surface Physics and Engineering, 1(3), 268-273. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8314
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
