Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
Анотація
Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра излучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференционных и полупроводниковых светофильтров.
Завантаження
Посилання
1. Касымов Ш. С. Разработка и исследование но вых типов электроуправляемых фотографи ческих систем и преобразователей ин¬фракрасных изображений / Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. — Л., 1979. — 21 с.
2. Haydarov Z. Advanced Semi-Conductor Ionization Chamber on the Basis of an Image Intensifier (II) at the Thermoelectric Cooling // Abstracts of XVIII International Scientific and Engineering Con ference on Photo electronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 2004. — 109 p.
3. Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразряд¬ной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 3, № 1–2. — С. 207–209.
4. Касымов Ш. С., Хайдаров З., Хомидов В. О., Юлдашев Х. Т., Отажонов С. М. Исследование влияния токового усиления на фотоэлектрические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 376–379.
5. Хайдаров З. Положительный фотографический эффект в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал. — 2012. — № 1. — С. 114–122.
6. Касымов Ш. С., Хайдаров З., Юлдашев Х. Т. Электрические свойства чрезмерно тонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал. — 2012. — № 4. — С. 241–248.
2. Haydarov Z. Advanced Semi-Conductor Ionization Chamber on the Basis of an Image Intensifier (II) at the Thermoelectric Cooling // Abstracts of XVIII International Scientific and Engineering Con ference on Photo electronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 2004. — 109 p.
3. Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразряд¬ной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 3, № 1–2. — С. 207–209.
4. Касымов Ш. С., Хайдаров З., Хомидов В. О., Юлдашев Х. Т., Отажонов С. М. Исследование влияния токового усиления на фотоэлектрические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 376–379.
5. Хайдаров З. Положительный фотографический эффект в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал. — 2012. — № 1. — С. 114–122.
6. Касымов Ш. С., Хайдаров З., Юлдашев Х. Т. Электрические свойства чрезмерно тонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал. — 2012. — № 4. — С. 241–248.
Опубліковано
2015-12-04
Як цитувати
Юлдашев, Х. Т., Хайдаров, Б. З., & Касымов, Ш. С. (2015). Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(2), 141 -. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4552
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
