Температурна залежність щільності поверхневих станів, визначена за допомогою нестаціонарної ємнісний спектроскопії
Ключові слова:
границя розподілу напівпровідника-діелектрика; щільність поверхневих станів; теплова генерація нерівноважних носіїв заряду; релаксаційні методи виміру енергетичного спектра; статистика Шоклі-Ріда-Хола, дельта-функція Дірака; спектроскопія поверхневих рівнів; дискретні поверхневі стани; МОП-структура; Al-SіО2-SіАнотація
Проаналізовано кінетику процесу перезарядження поверхневих станів, границі розподілу напівпровідник-діелектрик, показано, що експериментальний суцільний спектр щільності поверхневих станів (ЩПС), при низьких температурах перетворюється в дискретний енергетичний спектр. Така температурна залежність зумовлена тим, що похідна по енергії від ймовірності спустошення поверхневих станів, при низьких температурах перетворюється в дельтафункцію Дірака. Запропоновано математичну модель що описує ЩПС визначену за нестаціонарною спектроскопією глибоких рівнів. Показано, що числовий експеримент, з використанням експериментальних значень суцільної ЩПС, дає можливість розрахувати дискретний спектр ЩПС. Запропонована методика визначення низькотемпературної ЩПС збільшує розподільчу здатність нестаціонарної спектроскопії поверхневих рівнів і релаксаційних методів виміру енергетичного спектра щільності станів.
