Температурна залежність щільності поверхневих станів, визначена за допомогою нестаціонарної ємнісний спектроскопії
Анотація
Проаналізовано кінетику процесу перезарядження поверхневих станів, границі розподілу напівпровідник-діелектрик, показано, що експериментальний суцільний спектр щільності поверхневих станів (ЩПС), при низьких температурах перетворюється в дискретний енергетичний спектр. Така температурна залежність зумовлена тим, що похідна по енергії від ймовірності спустошення поверхневих станів, при низьких температурах перетворюється в дельтафункцію Дірака. Запропоновано математичну модель що описує ЩПС визначену за нестаціонарною спектроскопією глибоких рівнів. Показано, що числовий експеримент, з використанням експериментальних значень суцільної ЩПС, дає можливість розрахувати дискретний спектр ЩПС. Запропонована методика визначення низькотемпературної ЩПС збільшує розподільчу здатність нестаціонарної спектроскопії поверхневих рівнів і релаксаційних методів виміру енергетичного спектра щільності станів.
Завантаження
Посилання
Секен К., Томпсетт М. Приборы с переносом заряда. – М.: Мир, 1978.
Гулямов Г., Кучкаров Х.//Узбекский физический журнал. – 1995. – № 4. – С. 39.
Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1986.
Зельдович Я.Б., Мышкис А.Д. Элементы прикладной математики. – М.: Наука, 1972.
Гулямов Г., Дадамирзаев Г., Набиев Ш.И.//Известия АН УзССР. Серия физ.-мат. наук . – 1988. – № 4. – С. 83.
