Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа

  • Х. Т. Юлдашев Ферганский политехнический институт
  • Б. З. Хайдаров Ферганский политехнический институт
  • Ш. С. Касымов Ферганский политехнический институт

Abstract

Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизаци­онного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра из­лучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференцион­ных и полупроводниковых светофильтров.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Х. Т. Юлдашев, Ферганский политехнический институт
Н.С.
Б. З. Хайдаров, Ферганский политехнический институт
Н.С.
Ш. С. Касымов, Ферганский политехнический институт
Н.С.

References

1. Касымов Ш. С. Разработка и исследование но вых типов электроуправляемых фотографи ческих систем и преобразователей ин¬фракрасных изображений / Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. — Л., 1979. — 21 с.

2. Haydarov Z. Advanced Semi-Conductor Ionization Chamber on the Basis of an Image Intensifier (II) at the Thermoelectric Cooling // Abstracts of XVIII International Scientific and Engineering Con ference on Photo electronics and Night Vision Devices, Moscow, Russia, 2004. — 109 p.

3. Хайдаров З. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразряд¬ной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 3, № 1–2. — С. 207–209.

4. Касымов Ш. С., Хайдаров З., Хомидов В. О., Юлдашев Х. Т., Отажонов С. М. Исследование влияния токового усиления на фотоэлектрические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 376–379.

5. Хайдаров З. Положительный фотографический эффект в чрезмерно тонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал. — 2012. — № 1. — С. 114–122.

6. Касымов Ш. С., Хайдаров З., Юлдашев Х. Т. Электрические свойства чрезмерно тонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом // Узбекский физический журнал. — 2012. — № 4. — С. 241–248.
Published
2015-12-04
How to Cite
Юлдашев, Х. Т., Хайдаров, Б. З., & Касымов, Ш. С. (2015). Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа. Journal of Surface Physics and Engineering, 13(2), 141 -. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4552