Технологічні особливості DC та RF магнетронного розпорошення
Анотація
Проведено аналіз технологічних особливостей процесів DC- і RF- магнетронних розрядів. Встановлено, що відмінності в утворенні та підтримці плазмової оболонки по-різному впливають на матеріал, який розпорошується та на який осаджується покриття. Потенціали плазми і потоки частинок на підкладинку є основними факторами енергетичного бомбардування підкладинки, і сильно залежать від технологічних особливостей розпилювальної системи.
Завантаження
Посилання
Roth J. R. Industrial Plasma Engineering, Volume 1: Principles. – Institute of Physics, 1995.– 339 pp.
Bogaerts A. The glow discharge: an exciting plasma «Invited Lecture» // J. Anal. At. Spectrom. – 1999. – Vol. 14. – P. 1375-1384.
Llewellyn-Jones F. The Glow Discharge and an introduction to Plasma Physics. – London, 1966. – 211 p.
Lieberman M. A., Lichtenberg A. J. Principles of Plasma Discharges and Materials Processing. – Canada, 2005. – 757 p.
Swann S. Magnetron sputtering // Phys. Technol. – 1988. – Vol. 19. – P. 67
Wright M., Beardow T. Design advances and applications of the rotatable cylindrical magnetron // J. Vac. Sci. Technol. – 1986. – Vol. 4. – P. 388-392.
Solov’ev A. A., Sochugov N. S., Oskomov K. V. Investigation of plasma characteristics in an unbalanced magnetron sputtering system // Plasma Phys. Rep. – 2009. – Vol. 35. – P. 399-408.
Brauer G. Magnetron sputtering // Comprehensive materials processing. – 2014. –Vol. 4. – P. 57-73.
Window B., Sawides N. Charged particle fluxes from planar magnetron sputtering sources // J. Vac. Sci. Technol. – 1986. – Vol. 4. – P. 196-202.
Kelly P. J., Arnell R. D. Magnetron sputtering: a review of recent developments and applications // Vacuum. – 2000. – Vol. 56. – P. 159-172.
Coburn J.W., Kay E. Positive ion bombardment of substrates in rf diode glow discharge sputtering // J. App. Phys. – 2003 – Vol. 43. – P. 49-65.
De Bosscher W., Lievens H. Advances in magnetron sputter sources // Thin Solid Films. – 1999. – Vol. 351. – P. 15-20.
Köhler K., Horne D. E., Coburn J. W. Frequency dependence of ion bombardment of grounded surfaces in rf argon glow discharges in a planar system // J. Appl. Phys. – 1985. – Vol. 58. – P. 33-50.
Koenig H. R., Maissel L. I. Application of RF discharges to sputtering // IBM J. Res. Dev. – 1970. – Vol. 14. – P. 168-171.
Köhler K., Coburn J. W., Horne D. E., Kay E., Keller J. H. Plasma potentials of 13.56 MHz rf argon glow discharges in a planar system // J. Appl. Phys. – 1985. – Vol. 57. – P. 59-66.
Ekpe S. D., Dew S. K. Theoretical and experimental determination of the energy flux during magnetron sputter deposition onto an unbiased substrate // J. Vac. Sci. Technol. – 2003. – Vol. 21. – P. 476–483.
Zhou J., Wu Z., Liu Z. Influence and determinative factors of ion-to-atom arrival ratio in unbalanced magnetron sputtering systems // J. Univ. Sci. Technol. – 2008. – Vol. 15. – P. 775–781.
Habib S. K., Rizk A., Mousa I. A. Physical parameters affecting deposition rates of binary alloys in a magnetron sputtering system // Vacuum. – 1998. –Vol. 49. – P. 153-160.
Arnell R. D., Kelly P. J. Recent advances in magnetron sputtering // Surf. Coat. Technol. – 1999. – Vol. 112. – P. 170-176.
Golosov D. А. Effects of Magnetic System Unbalance on Magnetron Sputtering Characteristics // Plasma Phys. Technol. – 2014. – Vol. 1, 2. – P. 61-63.
