Wavelet analysis of composition microinhomogeneities of  Cd1-xZnxTe crystals grown from melt

O. N. Chugai N.E. Zhukovsky Kharkiv National Aerospace University, Chkalova str., 17, Kharkiv, 61070, Ukraine
S. L. Abashin N.E. Zhukovsky Kharkiv National Aerospace University, Chkalova str., 17, Kharkiv, 61070, Ukraine
A. V. Gaidachuk N.E. Zhukovsky Kharkiv National Aerospace University, Chkalova str., 17, Kharkiv, 61070, Ukraine
D. P. Zherebyatiev N.E. Zhukovsky Kharkiv National Aerospace University, Chkalova str., 17, Kharkiv, 61070, Ukraine
I. V. Lunyov N.E. Zhukovsky Kharkiv National Aerospace University, Chkalova str., 17, Kharkiv, 61070, Ukraine
A. A. Poluboiarov Institute for Single Crystals of NAS of Ukraine, Lenin Ave., 60, Kharkiv, 61001, Ukraine
S. V. Sulima Institute for Single Crystals of NAS of Ukraine, Lenin Ave., 60, Kharkiv, 61001, Ukraine

Ключові слова: кристали AIIBVI, діелектрична проникність, тверді розчини напівпровідників, неоднорідності складу, вейвлет-аналіз

Анотація

Виміряні лінійні залежності складу вирощених з розплаву кристалів Cd1-xZnxTe (x = 0.03 - 0.15) у напрямку їхнього росту. Вейвлет-аналіз показав, що в цих залежностях для мольної частки Zn, що відповідає різним ділянкам, є кілька гармонічних складових з просторовим періодом порядку одиниць – десятків мікрометрів. Виявлена анізотропія низькочастотних діелектричних властивостей кристалів, при якій фізично виділеним є зазначений напрямок. Особливості складу і властивостей кристалів пояснені автоколивальними процесами при їх рості.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

N.A. Bert, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova et al. FTP, 33, 544 (1999).

I.V. Sabinina, A.K. Gutakovskiy, Yu. G. Sidorov et al. Letters to ZhETF, 34, 348 (2011).

P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.I. Arsent’ev et al. FTP, 47, 3
(2013).

Alex Zunger // MRS Bulletin, 22, 20 (1997).

V.K. Komar, S.L. Abashin, O.N. Chugai, et al. // Abstracts of the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16). PC 265 (2010).

T.E.Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon et al. // Mater. Sci. Engin. R., 32, 103 (2001).

H. Hermon, M. Schieber, R.B. James et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A., 410, 100 (1998).

V. Corregidor, E. Diéguez, J.L. Castaño et al. // Appl. Phys. Letters, 81, 5153 (2002).

P. Norton. Opto-Electronics Review, 10, 159 (2002).

N. M. Astafieva. UFN, 166, 1145 (1996).

I.M. Dryomin, O.V. Ivanov, V.A. Nechitailo. UFN, 171, 465 (2001).

V.A. Tkal, M.N. Petrov, N.A. Voronin. XIV National Conference on Crystal Growth (NKRK-2010), Heads of reports p.2, 327, Moscow (2010).

N.K. Smolentsev Osnovy teorii veivletov, Veivlety v MATLAB. M.: DMK Press, 2005, 304.

M. Misiti, Y. Misiti, G. Oppenheim, J-M. Poggi. Wavelet Toolbox For Use with MATLAB Version 2.2 (www.mathworks.com), 2002. 934.

P.I. Baranskiy, V.P. Klochkov, I.V. Potykevich. Poluprovodnikovaya elektronika. Svoistva materialov. Spravochnik. K.: Naukova dumka, 1975, 704.

S.-H. Wei, L.G. Ferreira, Alex Zunger // Phys. Rev. B., 41, 8240-8269 (1990).

V. N. Kanishchev. // ZhETF,144, 1165-1173 (2013).

Nataliya A., Verezub, Anatoly I. et al. // Book of Abstracts: 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCG-17), 58-60 (2013).

S. P. Chumakova, N.A. Tikhomirova, A.V. Ginzberg et al. // Letters to ZhETF, 13, 1379-1384 (1987).