The galvanomagnetic properties of two-dimensional conducting systems formed by nanocrystallites CrSi2 in the plane (111) of Si single crystals with a different type of conductivity

I. B. Berkutov B.Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospekt Nauky 47, Kharkov 61103, Ukraine The University of Manchester, Oxford Road, Manchester M13 9PL, UK
V. V. Andrievskii B.Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospekt Nauky 47, Kharkov 61103, Ukraine
I. G. Mirzoiev B.Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospekt Nauky 47, Kharkov 61103, Ukraine
Yu. F. Komnik B.Verkin Institute for Low Temperature Physics and Engineering of the National Academy of Sciences of Ukraine, Prospekt Nauky 47, Kharkov 61103, Ukraine
N. G. Galkin Institute of Automation and Control Processes of the Far Eastern Branch of the Russian Academy of Sciences, 5 Radio St., Vladivostok, Russia
D. L. Goroshko Institute of Automation and Control Processes of the Far Eastern Branch of the Russian Academy of Sciences, 5 Radio St., Vladivostok, Russia

Ключові слова: дисиліцид хрому, епітаксійний кремній, температурна залежність опору

Анотація

Вивчена поведінка опору, магнітоопору (до 5 Тл) та э.р.с. Хола при зміні температури (в інтервалі 20 – 300 К) зразків кремнію, в яких в площині (111) розташовувалися нанокристаліти дисиліциду хрому CrSi2. Вивчалися два зразки, що виготовлені на кремнії з дірковою та електронною провідністю. При низьких температурах транспортні властивості досліджених систем пояснені за допомогою запропонованої моделі «міжлункової» стрибкової зонної провідності. При температурах T >50 К провідність систем додатково залежить від характеристик кремнію.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

N. Manyala, J. F. Di Tusa, G. Aeppli and A. P. Ramirez, Nature, 454, 976 (2008).

J. M. Higgins, R. H. Ding, J. P. De Grave and S. Jin, Nano Lett.,10, 1605 (2010).

V.E. Borisenko (ed), Semiconducting Silicides (Springer Series in Materials Science, 39, 2000) (New York: Springer).

N.I. Plusnin, N.G. Galkin, A.N. Kamenev, V.G Lifshits., and S.A. Lobachev, Phys. Chem. Mech. Surf., 2, 55 (1989).

N.I. Plusnin, N.G. Galkin, and V.G. Lifshits, Surf. Rev. Lett., 2, 439 (1995).

N.G. Galkin, T.A. Velichko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev, Thin Solid Films, 280, 211 (1996).

D.B. Migas, L. Miglio, Phys. Rev. B 62, 11063 (2000).

F. Zhou, J. Szczech, M. T. Pettes, A. L. Moore, S. Jin and L. Shi, Nano Lett. , 7, 1649 (2007).

J. R. Szczech, A. L. Schmitt, M. J. Bierman and S. Jin, Chem. Mater., 19, 3238 (2007).

K. Seo, K. S. K. Varadwaj, D. Cha, J. In, J. Kim, J. Park and B. Kim,
J. Phys. Chem. C, 111, 9072 (2007).

N. G. Galkin, D. L. Goroshko, A. V. Konchenko, E. S. Zakharova, and S. Ts. Krivoshchapov, Semiconductors, 34, p. 799 (2000).

S. Agan, O.A. Mironov, E.H.C. Parker, T.E. Whall, C.P. Parry, V.Yu. Kashirin, Y.F. Komnik, Vit.B. Krasovitsky, and C.J. Emeleus, Phys. Rev. B, 63, 075402 (2001).

N.G. Galkin, Thin Solid Films, 515, 8179 (2007).

N.G. Galkin, L. Dózsa, T.V. Turchin, D.L. Goroshko, B. Pécz, L. Tóth, L. Dobos, N.Q. Khanh and A. I. Cherednichenko, J. Phys.: Condens. Matter, 19, р. 506204, (2007).

B.I. Shklovskii and A.L. Efros Electronic Properties of Doped Semiconductors, (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, NewYork, Tokyo, 1987).

Yu. F. Komnik, V.V. Andrievskii, I.B. Berkutov, I.G. Mirzoiev, N.G. Galkin,
D.L. Goroshko, Physica E 64, 165 (2014).

E. Zaremba, Phys. Rev. B, 45, 14143 (1992).

Nguyen V. L., Spivak B. Z., Shklovskii B. I., JETP Lett., 41, 35 (1985).
M.E. Raikh, Solid State Commun., 75, 935 (1990).

Qio-yi Ye, B.I. Shklivskii, A. Zrennen, F. Koch, K. Ploog, Phys. Rev. B, 41, 8477 (1990).

V. Yu. Kashirin, Yu. F. Komnik, Vit. B. Krasovitskii, O. A. Mironov, O. N. Makarovskii, C. J. Emeleus, T. E. Whall, v. J. Low Temp. Phys, 22, 1166 (1996).

Y. Toyozawa, J. Phys. Soc. Japan, 17, 986 (1962).