About of the possibility of quantum interferential transitions and entanglement in vacancy and divacancy of silicon

L. S. Martseniuk Institute of Nuclear Researches Prospect Nauky 47, Kiev 03680, Ukraine

Ключові слова: кремній, дивакансія кремнію, заплутані стани, інтерференційні переходи, суперпозиційні стани

Анотація

Проаналізовані деякі характеристики дивакансії кремнію як радіаційного бістабільного дефекту з ян-теллеровською стабілізацією. Показано, що шляхом зовнішнього впливу, зміни деяких властивостей матеріалу та концентрації введених дефектів, а також виду опромінення можна цілеспрямовано впливати на параметри цих дефектних центрів, що вказує на можливість використання кремнію з такими центрами як матеріалу для створення приладів квантових інформаційних систем.
На підставі проведеного аналізу висловлюється припущення про існування за певних умов інтерференційних переходів між квантовими станами мінімумів адіабатичної енергії дивакансії. Вказується на загальність такого підходу і можливість поширення підходу, застосованого для опису таких переходів в дивакансії , на деякі інші бістабільні дефекти.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

Mukashev B.N., Abdulin Ch .A., Gorelkinskiy Yu.V. The metastable and bistable defects in silicon. Successes Phys Scy. - 2000. 170. 2. 143-155 (in Russian).

Bersuker I.B. The Jahn-Teller effect and vibronic interaction in modern chemistry. - M.: Science, 1987. 343 (in Russian).

Moliver S.S. Method of the opened shell for the electronic structure of divacancy of silicon. Physics of solid state. 1999. 41. 3. 404-410 (in Russian).

Vavilov V.S., Kiselev V.F., Mukashev B.N. The defects in silicon and on its surface. - M.: Science, 1990. 211 (in Russian).

Davydov A.S. The quantum mechanics. M, «Science». 1973. 703 (in Russian).

Feynman R, Leyton R., Sends M. Feynman’s lectures on physics. M, «World». 1966. 8. 271 (in Russian).

Podgoretskiy M.I, Khrustalev O.A. About some interference phenomena in quantum transitions. Successes Phys Scy. - 1963. V. LХХХI. 2. 217 – 247.

Dolgolenko A.P. The electronic levels of configurations of divacancy in silicon. The questions of atomic science and technique. 2012. 5 (81). 13-20 (in Russian).

Dolgolenko А.P., Аntova Yu.А. The kinetic coefficients in silicon: the clusters of radiation defects. On materials of dr.dissert. 2012. LAP Lambert Academic Publishing. 208(in Russian).

Feynman RP. Quantum mechanical computer. Opt. News. 1985. February, 1. 11-39.