he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied
Ключові слова:
магнітоопір, слабка локалізація
Анотація
Подано розрахунок кінетичних характеристик двовимірної системи носіїв заряду в дірковій гетероструктурі Si0.7Ge0.3/Si0.2Ge0.8/ Si0.7Ge0.3 за умов заселення двох квантових рівнів. Отримано значення концентрації, рухливості і ефективної маси носіїв заряду на кожному з квантових рівнів. Проведено аналіз ефектів слабкої локалізації носіїв заряду в умовах сильних спін-орбітальних ефектів. Отримано значення часів фазової релаксації і спін - орбітальної взаємодії носіїв заряду, а також величини спінового розщеплення. Отримані результати добре відповідають наявним теоретичним моделям.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
H. L. Stormer, A. C. Gossard, and W. Wiebmann, Solid State Commun., 41, 707 (1982).
Y. W. Suen, H. C. Manoharan, X. Ying, M. B. Santos, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 72, 3405 (1994),
T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54,437 (1982).
T. P. Smith III, F. F. Fang, U. Meirav, and M. Heiblum, Phys. Rev. B 38, 12 744 (1988).
S. S. Murzin, S. I. Dorozhkin, G. Landwehr, A. C. Gossard, JETP Lett. 67, 113 (1998).
K. Eng, R. N. Mc Farland, B. E. Kane, Appl. Phys. Lett. 87, 052106 (2005).
K. Eng, R. N. Mc Farland, B. E. Kane, Phys. Rev. Lett. 99, 016801 (2007).
F. Stern, Surf. Sci. 73, 197 (1978).
G.A. Prinz, Science, 282, 1660 (1998).
S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. von Molnar, M.L. Roukes, A.Y. Chtchelkanova, D.M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
M.G. Pala, M. Governale, U. Zulicke, G. Iannaccone, Phys. Rev. B 71, 115306 (2005).
R. Raimondi, M. Leadbeater, P. Schwab, E. Caroti, C. Castellani, Phys. Rev. B 64, 235110 (2001).
N. P. Barradas, A. D. Sequeira, N. Franco, M Myronov, O.A. Mironov, P. J. Phillips and E. H. C. Parker, Modern Physics Letters B, 15, 28 – 29, 1297 (2001).
E. Zaremba, Phys. Rev. B, 45, 14143 (1992).
A. Isihara and L. Smrčka, J. Phys. C, 19, 6777 (1986).
I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.F. Komnik, Yu.A. Kolesnichenko, R.J.H. Morris, D.R. Leadley, and O. A. Mironov, Low Temperature Physics, 38, 12, 1145, (2012).
V.V. Andrievskii, A,Yu, Rozheshchenko, Yu.F. Komnik, M. Myronov, O.A. Mironov, E.E. Voll, Low Temperature Physics, 29, 424 (2003).
N.S. Averkiev, L.E. Golub, G.E. Pikus, JETP, 113, 1429, (1998).
B.L. Altshuler, A.G. Aronov, and D.E. Khmel’nitskii, J. Phys.C, 15, 7367 (1982).
M.I. Diakonov, V.I. Perel, JETP, 60, 1954 (1971).
Y. W. Suen, H. C. Manoharan, X. Ying, M. B. Santos, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 72, 3405 (1994),
T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54,437 (1982).
T. P. Smith III, F. F. Fang, U. Meirav, and M. Heiblum, Phys. Rev. B 38, 12 744 (1988).
S. S. Murzin, S. I. Dorozhkin, G. Landwehr, A. C. Gossard, JETP Lett. 67, 113 (1998).
K. Eng, R. N. Mc Farland, B. E. Kane, Appl. Phys. Lett. 87, 052106 (2005).
K. Eng, R. N. Mc Farland, B. E. Kane, Phys. Rev. Lett. 99, 016801 (2007).
F. Stern, Surf. Sci. 73, 197 (1978).
G.A. Prinz, Science, 282, 1660 (1998).
S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. von Molnar, M.L. Roukes, A.Y. Chtchelkanova, D.M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
M.G. Pala, M. Governale, U. Zulicke, G. Iannaccone, Phys. Rev. B 71, 115306 (2005).
R. Raimondi, M. Leadbeater, P. Schwab, E. Caroti, C. Castellani, Phys. Rev. B 64, 235110 (2001).
N. P. Barradas, A. D. Sequeira, N. Franco, M Myronov, O.A. Mironov, P. J. Phillips and E. H. C. Parker, Modern Physics Letters B, 15, 28 – 29, 1297 (2001).
E. Zaremba, Phys. Rev. B, 45, 14143 (1992).
A. Isihara and L. Smrčka, J. Phys. C, 19, 6777 (1986).
I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.F. Komnik, Yu.A. Kolesnichenko, R.J.H. Morris, D.R. Leadley, and O. A. Mironov, Low Temperature Physics, 38, 12, 1145, (2012).
V.V. Andrievskii, A,Yu, Rozheshchenko, Yu.F. Komnik, M. Myronov, O.A. Mironov, E.E. Voll, Low Temperature Physics, 29, 424 (2003).
N.S. Averkiev, L.E. Golub, G.E. Pikus, JETP, 113, 1429, (1998).
B.L. Altshuler, A.G. Aronov, and D.E. Khmel’nitskii, J. Phys.C, 15, 7367 (1982).
M.I. Diakonov, V.I. Perel, JETP, 60, 1954 (1971).
Опубліковано
2016-12-28
Як цитувати
Berkutov, I. B., Andrievskii, V. V., Komnik, Y. F., Kolesnichenko, Y. A., Berkutova, A. I., Mironov, O. A., & Gleyzer, N. V. (2016). he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», (23), 52-56. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775
3.gif){kind=logo}
