ВПЛИВ ВИСОКОГО ТИСКУ НА ТЕМПЕРАТУРНУ ЗАЛЕЖНІСТЬ ПСЕВДОЩІЛИНИ МОНОКРИСТАЛІВ Y0.66Pr0.34Ba2Cu3O7-δ

Анотація

У роботі було досліджено вплив високого гідростатичного тиску на електричну провідність s(Т) у базисній ab-площині монокристалу високотемпературного надпровідника (ВТНП) Y_0.66Pr_0.34Ba₂Cu₃O_7-δ. Монокристал YBa₂Cu₃O_7-d вирощували за відомою розчин-розплавною технологією. Як початкові компоненти для вирощування монокристалу Y_0.66Pr_0.34Ba₂Cu₃O_7-δ використовували сполуки Y₂O₃, BaCO₃, CuО та Pr₅O₁₁ у відповідному процентному співвідношенні. Режими вирощування та насичення киснем кристалу Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7-δ були такими ж, як і для нелегованих монокристалів. Електричний опір у ab-площині вимірювали за стандартною 4-контактною методикою. Гідростатичний тиск створювали у мультиплікаторі типу поршень-циліндр. Експериментально отримано температурні залежності питомого електричного опору r(Т) досліджуваних монокристалів в ab-площині в інтервалі температур Т_с–300 К за тисків 0–10 кбар. При всіх тисках, які були застосовані, експериментальні криві r(Т) містять лінійні ділянки при температурах Т > T*. При температурах Т < T* криві r(Т) відхиляються донизу від своєї лінійної екстраполяції, тобто у досліджених зразках виникає надлишкова провідність Ds(Т). Встановлено, що Ds(Т) зразків у широкому інтервалі температур T_f  < Т < T* характеризується експоненційною температурною залежністю Δs ~ (1–Т/Т*)exp(Δ*_ab/T), де Т* – середньопольова температура надпровідного переходу, яка може бути інтерпретована в термінах теорії кросовера БКШ–БЕК. Користуючись цим співвідношенням, побудовано температурну залежність псевдощілини Δ*_ab(T) від Т* до температур, що відповідають максимальному значенню псевдощілини. Збільшення прикладеного тиску приводить до ефекту звуження температурного інтервалу реалізації псевдощілинного (ПЩ) режиму і, в результаті, до розширення інтервалу лінійної залежності питомого електричного опору у ab-площині. При збільшенні тиску температурна залежність псевдощілини демонструє кросовер від залежності типу БКШ до залежності типу БЕК.