Температурна залежність основних параметрів, що визначають спектр міжзонного поглинання a-Si:H
Анотація
У даній роботі експериментально та теоретично досліджено температурну залежність коефіцієнта міжзонного оптичного поглинання гідрогенізованого аморфного кремнію (а-Si:H). Шляхом апроксимації значень, отриманих з формули коефіцієнта оптичного поглинання, температурну залежність характеристичної енергії коливань а-Si:H було досліджено за формулами Бозе-Ейнштейна та Варшні.
Завантаження
Посилання
Z.T. Azamatov, Sh.B. Utamuradova, M.A. Yuldoshev, and N.N. Bazarbaev. “Some properties of semiconductor-ferroelectric structures,” East Eur. J. Phys. (2), 187-190. (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-19
B.M. Ali, A.A. Abdulazez, G.P. Priya, S. Ray, A. Pal, R. Sharma, S. Usanov, et al., “Modification of graphenylene nanostructure as a promising material for adsorption and sensing of 5-fluorouracil,” First-principles investigations. Journal of Molecular Graphics and Modelling, 142, 109210 (2026). https://doi.org/10.1016/j.jmgm.2025.109210
S.F. Samadov, N.V.M. Trung, A.A. Sidorin, S.I. Ibragimova, S.H. Jabarov, M.A. Yuldoshev, O.S. Orlov, et al., “Effect of Zn and Fe doping on vacancy cluster formation in Cu–In–Se system,” Micro and Nanostructures, 209, 208451 (2026). https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208451
J.R. Yusupov, M. Ehrhardt, Kh.Sh. Matyokubov, and D.U. Matrasulov, “Driven transparent quantum graphs,” Physica Scripta, 100(7), (2025). https://doi.org/10.1088/1402-4896/ade014
F.A. Giyasova, A.Z. Rakhmatov, Kh.N. Bakhronov, M.A. Yuldoshev, F.A. Giyasov, A.N. Olimov, and N.A. Sattarov, “Physical Principles of Photocurrent Generation in a Silicon-Based Photodiode Structure with a Schottky Barrier,” East Eur. J. Phys. (4), 397 (2025). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-4-38
F.A. Giyasova, Kh.N. Bakhronov, M.A. Yuldoshev, I.B. Sapaev, R.G. Ikramov, F.A. Giyasov, M.R. Bekchanova, et al., “Study of the Influence of Temperature on the Transitions of the CdS/Si/CdTe Heterosystem,” East Eur. J. Phys. (4), 461 (2025). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-4-47
F.A. Giyasova, and M.A. Yuldoshev, “Investigation of temporal characteristics of photosensitive heterostructures based on gallium arsenide and silicon,” Chalcogenide Letters, 22(2), 123–129 (2025). https://doi.org/10.15251/CL.2025.222.123
M.S. Payzullakhanov, F.A. Giyasova, M.A. Yuldoshev, Ch.X. Toshpulatov, R.U. Ernazarov, F.A. Giyasov, A. Urishev, A.D. Paluanova, East Eur. J. Phys. (1), 233 (2026). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-1-25
R.A. Street, Hydrogenated Amorphous Silicon, (Cambridge University Press, 1991).
A.V. Shah, J. Meier, E. Vallat-Sauvain, N. Wyrsch, U. Kroll, C. Droz, and U. Graf, “Thin-film silicon solar cell technology,” Solar Energy Materials and Solar Cells, 78, 469–491 (2003). https://doi.org/10.1016/s0927-0248(02)00448-8
M.S. Paizullakhanov, F.A. Giyasova, Kh.N. Bakhronov, M.A. Yuldoshev, A.A. Mamadaliev, F.A. Giyasov, F.T. Akbarova, B. Ismatov, M.R. Bekchanova. Investigation of the Processes Involved in the Formation of Pyroxene Materials during Solar Melting in a Large Solar Furnace. Journal of Ovonic Research. Vol. 22, No. 1, (2026). https://doi.org/10.15251/JOR.2026.221.51
N.Yu. Sharibaev, A.Q. Ergashov, S.B. Fazliddinov, R.G. Ikramov, M.A. Yuldoshev, A.A. Abdulxayev, Journal of Ovonic Research. Vol.21, No.6, (2025). https://doi.org/10.15251/JOR.2025.216.859
G.D. Cody, T. Tiedje, B. Abeles, B. Brooks, and Y. Goldestein, “Disorder and the Optical-Absorption Edge of Hydrogenated Amorphous Silicon,” Physical Review Letters, 47(20), 1480-1483 (1981). https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981463
Y.P. Varshni, “Temperature Dependence of the Energy Gap in Semiconductors,” Physica, 34, 149-154 (1967). https://doi.org/10.1016/0031-8914(67)90062-6
K.P. O’Donnell, and X. Chen, “Temperature dependence of semiconductor band gaps,” Applied Physics Letters, 58(25), 2924 2926 (1991). https://doi.org/10.1063/1.104723
G. Weiser, and H. Mell, “The temperature dependence of the optical absorption edge of a-Si:H,” Journal of Non-Crystalline Solids, 299, 313–317 (2002). https://doi.org/10.1016/0022-3093(89)90143-9
R.G. Ikramov, Kh.A. Muminov, M.A. Nuritdinova, B.Q. Sutonov, and O.T. Kholmirzayev, “Calculation of the density of the distribution of electronic states in the conduction band from the fundamental absorption spectra of amorphous semiconductors, ” East European Journal of Physics, (4), 153-2158 (2023). https://10.26565/2312-4334-2023-4-16
Q. Guo, and A. Yoshida, “Temperature Dependence of Band Gap Chang in InN and AlN,” Pn. J. Appl. Phys. 33, 2453-2456 (1994). https://doi.org/10.1143/JJAP.33.2453
J. Kopaczek, S. Zelewski, K. Yumigeta, R. Sailus, S. Tongay, and R. Kudrawiec, “Temperature Dependence of the indirect Gap and the Direct Optical Transitions at the High-Symmetry Point of the Brillouin Zone and Band Nesting in MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 Crystals,” J. Phys. Chem. C, 126, 5665-5674 (2022). https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.jpcc.2c01044
D.-Y. Lin, H.-P. Hsu, C.-W. Wang, S.-W. Chen, Y.-T. Shih, S.-B. Hwang, and P. Sitarek, “Temperature-Dependent Absorption of Ternary HfS2-xSex 2D Layered Semiconductors,” Materials, 15, 6304 (2022). https://doi.org/10.3390/ma15186304
W.-T. Wu, K.-K. Tiong, S.-Y. Hu, Y.-C. Lee, R.-S. Chen, and C.-T. Wu, “Optical Study on Temperature-Dependent Absorption Edge of γ-InSe-Layered Semiconductor,” Appl. Sci. 14, 6676 (2024). https://doi.org/10.3390/app14156676
Авторське право (c) 2026 Рустамджон Г. Ікрамов, Хуршидбек А. Мумінов, Машхура А. Нурітдінова, Бобур Q. Султанов, Сарвар С. Умаров, Носірбек А. Саттаров
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
