Вплив додавання PbTe на електричний заряд та теплоперенос в AgSbSe₂

  • А.А. Саддінова Інститут фізики Міністерства науки і освіти Азербайджанської Республіки, Азербайджан https://orcid.org/0009-0005-9967-3575
  • Р.І. Селім-заде Institute of Physics Ministry of Science and Education Republic of Azerbaijan, Azerbaijan https://orcid.org/0009-0007-3649-5390
  • А.Є. Бабаєва Інститут фізики Міністерства науки і освіти Азербайджанської Республіки, Азербайджан https://orcid.org/0009-0001-0286-5783
  • А.А. Оруджова Мінгачевірський державний університет, Азербайджан https://orcid.org/0009-0007-7254-9499
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-1-26
Ключові слова: термоелектричний матеріал, електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, теплопровідність, ефективна маса

Анотація

Метою цього дослідження є вивчення впливу додавання PbTe на термоелектричні властивості та параметри зон AgSbSe2 за температур нижче кімнатної. Для цього методом прямого сплавлення було виготовлено полікристалічні зразки (AgSbSe2)x(PbTe)1-x (x=1; 0.9; 0.85). Досліджено температурні залежності електропровідності, коефіцієнта термоЕРС та теплопровідності зразків (AgSbSe2)x(PbTe)1-x (x=1; 0.9; 0.85) в діапазоні температур 80-350 K. Значення електропровідності зразків з додаванням PbTe зменшилося порівняно з AgSbSe2. Одночасно спостерігалася інверсія знака коефіцієнта термоЕРС (n→p) у твердих розчинах (AgSbSe2)x(PbTe)1-x (x=0.9; 0.85) за температур T>110K. Було визначено, що значення ефективної маси дiрок у твердих розчинах (AgSbSe2)x(PbTe)1-x (x=0,9; 0,85) збільшується порівняно з AgSbSe2. Було виявлено, що ґраткова теплопровідність твердих розчинів (AgSbSe2)x(PbTe)1-x (x=0,9; 0,85) значно зменшується зі збільшенням кількості PbTe в AgSbSe2.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

C. Yang, Y. Luo, Y. Xia, L. Xu, Z. Du, Z. Xan, X. Li, and J. Cui, ACS Appl. Mater. Interfaces. 13(47), 56329 (2021). https://doi.org/10.1021/acsami.1c17548

M. Jin, S. Lin, W. Li, Z. Chen, R. Li, X. Wang, Y. Chen, and Y. Pei, Chemistry of Materials, 31(7), 2603 (2019). https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.9b00393

B. Jiang, P. Qiu, E. Eikeland, H. Chen, Q. Song, D. Ren, T. Zhang, et al., Journal of Materials Chemistry C, 5(4), 943 (2017). https://doi.org/10.1039/C6TC05068A

B. Jiang, P. Qiu, H. Chen, Q. Zhang, K. Zhao, D. Ren, X. Shi, and L. Chen, Chem. Commun. 53, 11658 (2017). https://doi.org/10.1039/C7CC05935C

D. Frank, B. Gerke, M. Eul, R. Pöttgen, and A. Pfitzner, Chem. Mater. 25(11), 2339 (2013). https://dx.doi.org/10.1021/cm401057u

L.V. Piskach, O.V. Parasyuk, I.D. Olekseyuk, Y.E. Romanyuk, S.V. Volkov, and V.I. Pekhnyo, Journal of Alloys and Compounds,421(1-2), 98(2006). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.11.056

A.E. Owen, A.P. Firth, and P.J.S. Ewen, Philosophical Magazine B, 52(3), 347 (1985). https://doi.org/10.1080/13642818508240606

K. Tanaka, Journal of Non-Crystalline Solids, 170(1), 27(1994). https://doi.org/10.1016/0022-3093(94)90099-X

T. Kawaguchi, K. Tanaka, and S.R. Elliott, Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices, edited by H.S. Nalwa (Academic Press, 2001), vol. 5, pp. 91-117. https://doi.org/10.1016/B978-012513745-4/50044-5

A.V. Kolobov, and S.R. Elliott, Advances in Physics, 40(5), 625(1991).https://doi.org/10.1080/00018739100101532

R.M. Sardarly, N.N. Hajiyeva, N.A. Aliyeva, S.M. Gahramanova, and R.A. Mammadov, Problems of Atomic Science and Technology, 152(4), 23 (2024). https://doi.org/10.46813/2024-152-023

L.S. Parfen’eva, A.I. Shelykh, I.A. Smirnov, A.V. Prokof’ev, W. Assmus, H. Misiorek, J. Mucha, et al., Phys. Solid State, 45(11), 2093 (2003). https://doi.org/10.1134/1.1626742

O.Z. Alekperov, A.I. Najafov, E. Nakhmedov, O.A. Samedov, N.A. Aliyeva, and G. Jafarova, Journal of Applied Physics, 123(13), 135701 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5018128

R.M. Sardarly, F.T. Salmanov, N.A. Aliyeva, R.N. Mehdiyeva, and S.M. Gakhramanova, Moderin Physics Letters B, 35(33), 2150504 (2021). https://doi.org/10.1142/S0217984921505047

R.M. Sardarli, F.T. Salmanov, N.A. Aliyeva, and R.M. Abbasli, Modern Physics Letters B, 34(11), 2050113 (2020). https://doi.org/10.1142/S0217984920501134

N.N. Gadzhieva, G.B. Akhmedova, and R.A. Mammadov, Problems of Atomic Science and Technology (PAST), 152(4), 20 (2024). https://doi.org/10.46813/2024-152-020

F.T. Salmanov, R.M. Sardarly, R.M. Mukhtarov, N.A. Aliyeva, R.A. Mammadov, and Z.Q. Zeynalova, Problems of Atomic Science and Technology, 156(2), 49 (2025). https://doi.org/10.46813/2025-156-049

R.M. Sardarli, O.A. Samedov, A.P. Abdullayev, E.K. Huseynov, F.T. Salmanov, N.A. Alieva, and R.Sh. Agaeva, Semiconductors, 47(5), 707 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063782613050199

R.M. Sardarly, М.B. Babanly, N.A. Аliyeva, L.F. Mashadiyeva, R.A. Mamadov, G.M. Ashirov, A.A. Saddinova, and S.Z. Damirova, East European Journal of Physics, (1), 233 (2025). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-24

R.M. Sardarly, G.M. Ashirov, L.F. Mashadiyeva, N.A. Aliyeva, F.T. Salmanov, R.Sh. Agayeva, R.A. Mamedov, and M.B. Babanly, Modern Physics Letters B, 36(32n33), 2250171 (2022). https://doi.org/10.1142/S0217984922501718

M. Onoda, H. Wada, A. Sato, and M. Ishii, Journal of Alloys and Compounds, 383(1-2), 113 (2004). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2004.04.018

Y. Sun, F. Guo, H. Qin, W. Cai, and J. Sui, J. All. Compd. 859, 157844 (2021). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157844

X. Tan, J. Ding, H. Luo, O. Deliare, J. Yang, Z. Zhou, J. Lan, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 12(37), 41333 (2020). https://doi.org/10.1021/acsami.0c10508

Y. Liu, D. Cadavid, M. Ibanez, J.D. Roo, S. Ortega, O. Dobrozhan, M.V. Kovalenko, and A. Cabot, J. Mater. Chem. C, 4(21), 4756 (2016). https://doi.org/10.1039/C6TC00893C

S.N. Guin, A. Chatterjee, D.S. Negi, R. Datta, and K. Biswas, Energy Environ. Sci. 6(9), 2603 (2013). https://doi.org/10.1039/C3EE41935E

V. Jovovic, and J.P. Heremans, Phys. Rev. B, 77(24), 245204 (2008). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.245204

S.S. Ragimov, V.E. Bagiyev, A.I. Aliyeva, and A.A. Saddinova, Semiconductors, 55(12), 928 (2021). https://doi.org/10.1134/S106378262104014X

D. Li, X.Y. Qin, T.H. Zou, J. Zhang, B.J. Ren, C.J. Song, Y.F. Liu, et al., J. Alloys Compd. 635, 87 (2015). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.11.081

S.N. Guin, A. Chatterjee, and K. Biswas, RSC Advances, 4(23), 11811 (2014). https://doi.org/10.1039/C4RA00969J

X.C. Liu, Y.M. Wang, M.L. Qi, and M.Y. Pan, J. Solid State Chem. 288, 121454 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jssc.2020.121454

H. Fan, T. Su, H. Li, Y. Zheng, Sh. Li, M. Hu, H. Ma, and X. Jia, Mater. Sci.-Pol. 33(1), 152 (2015). https://doi.org/10.1515/msp-2015-0004

Y. Xiao, and L.-D. Zhao, Quantum Materials, 3(55), 1 (2018). https://doi.org/10.1038/s41535-018-0127-y

H.Z. Wang, Q.Y. Zhang, B. Yu, H. Wang, W. Liu, G. Chen, and Z. Ren, JMR. 26(7), 912 (2011). https://doi.org/10.1557/jmr.2010.96

T.N. Asokan, K.S. Urmila, R. Jacob, R.R. Philip, G.S. Okram, V. Ganesan, and B. Pradeep, J. Semicond. 35(5), 052001 (2014). http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/35/5/052001

B.M. Askerov, Electron transport phenomena in semiconductors, (Singapore, World Scientific, 1994).

Y. Pei, X. Shi, A. LaLonde, H. Wang, L. Chen, and G.J. Snyder, Nature. 473 (7345), 66 (2011). https://doi.org/10.1038/nature09996

G.J. Snyder, and E.S. Toberer, Nature Materials, 7(2), 105 (2008). https://doi.org/10.1038/nmat2090

S.S. Ragimov, A.E. Babayeva, and A.I. Aliyeva, Low Temp. Phys. 44(11), 1195 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5062157

L.H. Ye, K. Hoang, A.J. Freeman, S.D. Mahanti, J. He, T.M. Tritt, and M.G. Kanatzidis, Phys. Rev. B, 77(24), 245203 (2008). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.245203

J.R. Sootsman, D.Y. Chung, and M.G. Kanatzidis, Angew. Chem. Int. Ed. 48(46), 8616 (2009). https://doi.org/10.1002/anie.200900598

M. Marple, D.C. Kaseman, S. Kim, and S. Sen. J. Mater. Chem. A, 4(3), 861(2016). https://doi.org/10.1039/C5TA07301D

S. Miyatani. J. Phys. Soc. Jpn. 50(10), 3415 (1981). https://doi.org/10.1143/JPSJ.50.3415

Опубліковано
2026-03-14
Цитовано
Як цитувати
Саддінова, А., Селім-заде, Р., Бабаєва, А., & Оруджова, А. (2026). Вплив додавання PbTe на електричний заряд та теплоперенос в AgSbSe₂. Східно-європейський фізичний журнал, (1), 241-246. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2026-1-26
Номер
№ 1 (2026): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Авторське право (c) 2026 А.А. Саддінова, Р.І. Селім-заде, А.Є. Бабаєва, А.А. Оруджова

Ліцезія Creative Commons

Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).