Оптимізація вакуумної термічної випарувальної системи для осадження тонких плівок Bi–Sb–Te
Анотація
У цьому дослідженні тонкі плівки на основі халькогенідів вісмуту та сурми (Bi2Te3–Sb2Te3) були синтезовані за допомогою оптимізованої вакуумної системи термічного випаровування, а їхні морфологічні характеристики були ретельно досліджені. Результати атомно-силової мікроскопії (АСМ) виявили нанорозмірну зернистість на поверхні плівки (в діапазоні 50–150 нм) та чітку ступінчасту морфологію. Аналіз поздовжнього профілю показав, що варіації висоти знаходяться в діапазоні 0,790‑0,798 мкм. Спостереження скануючої електронної мікроскопії (СЕМ) підтвердили утворення зерен, більших частинок та поверхневих пустот, що вказує на дворівневу морфологічну структуру. Така структура є критично важливою для підвищення термоелектричної ефективності шляхом посилення розсіювання фононів, тим самим зменшуючи теплопровідність, зберігаючи при цьому властивості електронного транспорту. Результати дослідження демонструють, що тонкі плівки на основі Bi2Te3–Sb2Te3 мають високий науковий та практичний потенціал як термоелектричні матеріали.
Завантаження
Посилання
E. Vieira, J. Figueira, A.L. Pires, J. Grilo, M.F. Silva, A.M. Pereira, and L.M. Gonçalves, “Bi2Te3 and Sb2Te3 thin films with enhanced thermoelectric properties for flexible thermal sensors,” Proceedings, 2(13), 815 (2018). https://doi.org/10.3390/proceedings2130815
A. Ahmed, and S. Han, “Optimizing the Structural, Electrical and Thermoelectric Properties of Antimony Telluride Thin Films Deposited on Aluminum Nitride-coated Stainless Steel Foil,” Scientific Reports. 10, 6978 (2020). https://doi.org/10.1038/s41598-020-63954-0
R. Venkatasubramanian, T. Colpitts, E. Watko, M. Lamvik, and B. Mason, “MOCVD of Bi2Te3, Sb2Te3 and their superlattice structures,” Journal of Crystal Growth, 170, 817 (1997). https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00656-2
A. Giani, A. Boulouz, F. Pascal-Delannoy, A. Foucaran, and A. Boyer, “Growth of Bi2Te3 and Sb2Te3 thin films by MOCVD: Effects of deposition temperature on surface morphology, crystallinity and electrical transport properties,” Materials Science and Engineering: B, 64(1), 19 (1999). https://doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00142-7
L.M. Gonçalves, C. Couto, P. Alpuim, D.M. Rowe, and J.H. Correia, “Thermoelectric Properties of Bi2Te3 / Sb2Te3 Thin Films,” Materials Science Fórum, 514, 156 (2006). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.514-516.156
Y. Usmonov, M. Nabiyev, and Q. G‘aynazarova, Technology of Obtaining Semiconductor Thin Films, (Textbook, Fergana, 2018), pp. 5-7.
V.S. Kamlyuk, Committee on Education of the Minsk City Executive Committee. (Special Technology, Minsk, 2008), pp. 150 155.
G.V. Bobrov, A.A. Ilyin, and V.S. Spektor, Theory and Technology of Inorganic Coating Formation. (Alfa-M, Moscow, 2014), pp. 728-730.
Авторське право (c) 2026 Буньоджон У. Омонов, Шерзод А. Максмудов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
