Вплив домішкових кластерів на оптичні властивості монокристалічного кремнію, легованого нікелем та міддю
Анотація
У цій статті розглядається вплив домішкових атомів на оптичні властивості монокристалічного кремнію, легованого нікелем та міддю, під час високотемпературного дифузійного легування. А також процеси утворення різних хімічних сполук за участю атомів кисню та вуглецю з атомами нікелю, міді та кремнію. За допомогою ІЧ-спектрометрії з перетворенням Фур'є та рентгеноструктурного аналізу було виявлено, що концентрація оптично активного кисню та вуглецю в об'ємі зразків кремнію, легованих нікелем та міддю, значно зростає порівняно з вихідними зразками.
Завантаження
Посилання
S.Z. Zainabidinov, Sh.K. Akbarov, N.A. Turgunov, N.B. Khaytimmetov, and R.M. Turmanova, “Formation of impurity accumulations in silicon doped with nickel and copper,” E3S Web of Conferences, 632, 03004 (2025). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202563203004
S.Z. Zaynabidinov, A.Y. Boboev, N.Y. Yunusaliyev, and M.B. Rasulova, “X-ray diffraction analysis, optical characteristics and electro-physical properties of the n-ZnO/p-NiO structure grown by the spray pyrolysis method,” New Materials, Compounds and Applications, 8(3), 411–421 (2024). https://doi.org/10.62476/nmca83411
B. Talanin and I. Talanin, “High-temperature precipitation of impurities in metals,” Physics of the Solid State, 64(3), 340–346 (2022). https://doi.org/10.1134/S1063783422030270.
G. Kissinger, D. Kot, F. Bärwolf, M. Lisker, “Investigation of the Impact of Amorphous Silicon Layers Deposited by PECVD and HDP-CVD on Oxide Precipitation in Silicon,” Materials Science in Semiconductor Processing, 164, 107614 (2023). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107614
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, “Accumulations of impurity Ni atoms and their effect on the electrophysical properties of Si,” E3S Web of Conferences, 402, 14018 (2023).
N.A. Turgunov, S.K. Akbarov, N.B. Khaytimmetov, and R.M. Turmanova, “Influence of accumulation of impurity atoms Ni and Fe on the electrophysical properties of Si single crystals,” J. Nano Electron. Phys. 16(1), 01004 (2024). https://doi.org/10.21272/jnep.16(1).01004
D. Firsov, S. Khakhulin, and O. Komkov, “Fourier-transform infrared reflection anisotropy spectroscopy of semiconductor crystals and structures: Development and application in the mid-infrared,” Appl. Spectrosc. 1(4), 1–12 (2023).
Y. Yamashita, et al., “Effect of metal impurities on recombination lifetime in Si,” J. Appl. Phys. 127, 075701 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5140424
A. Liebendorfer, “Advances in vibrational spectroscopy provide new ways for characterizing semiconductor impurities,” Scilight, 2018(2), 020002 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5021599
M. Fahelelbom, A. Saleh, M. M. A. Al Tabakha, and A. A. Ashames, “Recent applications of quantitative analytical FTIR spectroscopy in pharmaceutical, biomedical, and clinical fields: A brief review,” Rev. Anal. Chem. 41(1), 21–33 (2022). https://doi.org/10.1515/revac-2022-0030
A.Y. Boboev, B.M. Ergashev, N.Y. Yunusaliyev, M.M. Xotamov, “Study of the formation of low-dimensional defect states in single-crystal silicon with the participation of oxygen,” East Eur. J. Phys. (2), 292 (2025), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-2-36
J.H. Linn, and K.L. Hanley, “Quantitative infrared spectroscopy of interstitial oxygen in silicon wafers using multivariate calibration,” Applied Spectroscopy, 47(12), 2102–2107 (1993). https://doi.org/10.1366/0003702934066361
N.Y. Yunusaliyev, “The gas-sensitive properties of tin dioxide films” East Eur. J. Phys. (4), 439 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-4-5
A. Janotti, and C.G. Van de Walle, “Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor,” Reports on Progress in Physics, 72(12), 126501 (2009). https://doi.org/10.1088/0034-4885/72/12/126501
S. Zaynabidinov, et al., “X-ray diffraction and electron microscopic studies of the ZnO(S) metal oxide films obtained by the ultrasonic spray pyrolysis method,” Herald of the Bauman Moscow State Tech. Univ. Ser. Nat. Sci. 1, 78 (2024). https://doi.org/10.18698/1812-3368-2024-1-78-92
M. Kooti, and M. Jorfi, “Synthesis and characterization of nanosized NiO₂ and NiO using Triton X-100,” Open Chemistry, 6(1), 186–192 (2008). https://doi.org/10.2478/s11532-008-0005-9
Авторське право (c) 2025 Сіраджідін З. Зайнабідінов, Н.А. Тургунов, Акрамжон Й. Бобоєв, Шухратжон К. Акбаров, Нодірбек Б. Хайтімметов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
